IR3N81A 时间：2025/8/28 6:24:21 阅读：19

IR3N81A是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于高频开关操作。IR3N81A采用TO-220封装，具备良好的热性能和电气稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：800V
　　最大漏极电流（ID）：3A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.3Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：19nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

IR3N81A的主要特性之一是其高耐压能力，漏极与源极之间的最大电压可达800V，使其适用于高电压输入的电源系统，如AC-DC转换器。该器件的导通电阻较低，RDS(on)在VGS=10V时为2.3Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，IR3N81A具备较低的栅极电荷（Qg=19nC），有利于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境条件。IR3N81A还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发电压冲击下的可靠性。

应用

IR3N81A广泛应用于各类电源管理系统，尤其是在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中作为主开关器件。其高耐压特性也使其适用于通用AC-DC转换器、适配器和电池充电器等设备。此外，该MOSFET可用于电机驱动和继电器控制电路，提供高效的开关性能。在LED照明驱动、家用电器和工业自动化控制设备中也有广泛应用。
　　由于其良好的热稳定性和可靠性，IR3N81A也常用于需要长时间运行的工业设备和嵌入式系统中。它在高频变换器中的表现尤为出色，能够满足对效率和体积要求较高的现代电子设备设计需求。