IR3N81A是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电机控制应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于高频开关操作。IR3N81A采用TO-220封装,具备良好的热性能和电气稳定性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(VDSS):800V
最大漏极电流(ID):3A
导通电阻(RDS(on)):2.3Ω @ VGS=10V
栅极电荷(Qg):19nC
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220
IR3N81A的主要特性之一是其高耐压能力,漏极与源极之间的最大电压可达800V,使其适用于高电压输入的电源系统,如AC-DC转换器。该器件的导通电阻较低,RDS(on)在VGS=10V时为2.3Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,IR3N81A具备较低的栅极电荷(Qg=19nC),有利于减少开关损耗,使其适用于高频开关应用。
该MOSFET采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适合在高功率密度设计中使用。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境条件。IR3N81A还具备较高的雪崩能量承受能力,增强了器件在突发电压冲击下的可靠性。
IR3N81A广泛应用于各类电源管理系统,尤其是在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中作为主开关器件。其高耐压特性也使其适用于通用AC-DC转换器、适配器和电池充电器等设备。此外,该MOSFET可用于电机驱动和继电器控制电路,提供高效的开关性能。在LED照明驱动、家用电器和工业自动化控制设备中也有广泛应用。
由于其良好的热稳定性和可靠性,IR3N81A也常用于需要长时间运行的工业设备和嵌入式系统中。它在高频变换器中的表现尤为出色,能够满足对效率和体积要求较高的现代电子设备设计需求。
STP8NK80Z, FQA3N80, 2SK2143