IR3N81 时间：2025/8/28 11:06:58 阅读：29

IR3N81是日本三菱电机（Mitsubishi Electric）生产的一款高压、高速功率MOSFET驱动芯片，常用于驱动N沟道MOSFET或IGBT器件。该芯片采用了高压集成电路（HVIC）技术，能够直接用于半桥或全桥拓扑结构中的高端栅极驱动应用。IR3N81具有高抗噪能力和较低的静态电流，适合用于电机控制、电源转换、UPS系统、开关电源（SMPS）等工业和消费类应用。该芯片通常以8引脚DIP或SOP封装形式提供。

参数

工作电压（VCC）：10V ~ 20V
　　输出驱动电流（峰值）：±1.5A
　　高压侧浮动电压（VS）：-5V ~ +600V
　　传播延迟时间：100ns（典型值）
　　上升/下降时间：15ns / 10ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：8引脚DIP、SOP

特性

IR3N81采用高压集成电路技术，能够在高压环境下稳定工作，适用于半桥或全桥拓扑中的高端MOSFET或IGBT驱动。其内置的电平转换电路允许低压侧信号控制高压侧输出，从而简化了电路设计。该芯片具备较强的抗干扰能力，在高频开关环境下仍能保持信号的稳定传输。此外，IR3N81的输出驱动能力较强，可以提供高达±1.5A的峰值电流，确保功率器件能够快速导通和关断，减少开关损耗。其低静态电流设计也有助于提高整体系统的能效。
　　IR3N81的另一个关键特性是其宽电压工作范围（10V至20V），使其能够适应不同驱动需求。同时，该芯片具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，以防止功率器件在非正常电压下工作而损坏。这种设计提高了系统运行的稳定性和可靠性。IR3N81还具有较强的温度耐受能力，可在-40°C至+125°C的温度范围内正常工作，适用于各种工业环境。

应用

IR3N81主要用于需要高压驱动能力的功率电子系统中，例如交流电机驱动器、无刷直流电机控制、逆变器、开关电源（SMPS）、UPS不间断电源系统、电焊机、感应加热装置以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其具备高抗噪性能和良好的驱动能力，该芯片在各类电力电子变换器中被广泛使用，特别是在需要高效率、高稳定性的场合。