T1635H-6T是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用TO-220封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的电子设备中。T1635H-6T具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够有效降低系统功耗并提升效率。
T1635H-6T通过优化内部结构设计,在高温环境下也能够保持稳定的性能表现,非常适合工业级和消费级应用领域。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):180W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
T1635H-6T具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻确保在大电流应用中减少功率损耗。
2. 高击穿电压为系统提供了更好的保护能力,使其能够在高压条件下稳定运行。
3. 快速开关速度降低了开关损耗,从而提高了整个系统的效率。
4. 优异的热性能允许更高的负载能力和更小的散热器需求。
5. 在广泛的温度范围内表现出色,适合各种严苛环境下的使用。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
T1635H-6T适用于多种应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器和升降压电路中的功率开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的负载开关。
6. LED照明驱动电路中的关键功率元件。
IRFZ44N, FQP30N06L, STP36NF06L