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T1635H-6T 发布时间 时间:2025/4/27 8:51:24 查看 阅读:5

T1635H-6T是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用TO-220封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的电子设备中。T1635H-6T具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够有效降低系统功耗并提升效率。
  T1635H-6T通过优化内部结构设计,在高温环境下也能够保持稳定的性能表现,非常适合工业级和消费级应用领域。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):35A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):180W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

T1635H-6T具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻确保在大电流应用中减少功率损耗。
  2. 高击穿电压为系统提供了更好的保护能力,使其能够在高压条件下稳定运行。
  3. 快速开关速度降低了开关损耗,从而提高了整个系统的效率。
  4. 优异的热性能允许更高的负载能力和更小的散热器需求。
  5. 在广泛的温度范围内表现出色,适合各种严苛环境下的使用。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

T1635H-6T适用于多种应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器和升降压电路中的功率开关。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的负载开关。
  6. LED照明驱动电路中的关键功率元件。

替代型号

IRFZ44N, FQP30N06L, STP36NF06L

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T1635H-6T参数

  • 其它有关文件T1635H View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭三端双向可控硅开关
  • 系列Snubberless™
  • 三端双向可控硅开关类型可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断路600V
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)16A
  • 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大)1V
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)160A,168A
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)35mA
  • 电流 - 维持(Ih)35mA
  • 配置单一
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-7635-5T1635H-6T-ND