您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IR3N78Y3/E1

IR3N78Y3/E1 发布时间 时间:2025/8/27 20:56:54 查看 阅读:9

IR3N78Y3/E1是一款由Infineon Technologies(英飞凌)公司生产的功率MOSFET晶体管。该器件适用于高频率开关应用,具备良好的热稳定性和导通性能,广泛用于电源转换器、马达驱动器以及各类工业和消费类电子产品中。IR3N78Y3/E1采用了先进的沟槽式(Trench)技术,确保了器件在高电流和高压环境下依然能保持优异的性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):15A
  漏源电压(VDS):600V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.42Ω(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220
  功率耗散(PD):50W

特性

IR3N78Y3/E1具有低导通电阻,有助于降低导通损耗,提高系统效率。其高耐压特性使其适用于高电压应用,如电源适配器、LED驱动器和开关电源。该器件具备良好的热性能,能够有效散热,从而提高可靠性和使用寿命。此外,IR3N78Y3/E1的封装形式适用于标准的PCB安装工艺,便于集成到各种电路设计中。
  在栅极驱动方面,IR3N78Y3/E1支持较高的栅极电压(±20V),具备良好的抗干扰能力,可防止因电压波动而导致的误导通。该器件还具有较快的开关速度,适合高频应用,从而减少开关损耗,提高系统整体效率。此外,IR3N78Y3/E1采用Trench技术,优化了沟道电阻,使得器件在高负载条件下依然保持良好的性能。
  该MOSFET的封装形式(TO-220)具备良好的机械强度和热传导性能,适用于多种工业环境。IR3N78Y3/E1符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,符合现代电子产品的环保要求。

应用

IR3N78Y3/E1广泛应用于各种电源管理系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED照明驱动器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。此外,该器件还可用于家用电器、电源适配器、电池充电器等产品中的功率控制部分。

替代型号

IRF7807, FDPF7807, FQP15N60C

IR3N78Y3/E1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价