时间：2025/8/27 20:56:54
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IR3N78Y3/E1是一款由Infineon Technologies（英飞凌）公司生产的功率MOSFET晶体管。该器件适用于高频率开关应用，具备良好的热稳定性和导通性能，广泛用于电源转换器、马达驱动器以及各类工业和消费类电子产品中。IR3N78Y3/E1采用了先进的沟槽式（Trench）技术，确保了器件在高电流和高压环境下依然能保持优异的性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.42Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：50W
IR3N78Y3/E1具有低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压特性使其适用于高电压应用，如电源适配器、LED驱动器和开关电源。该器件具备良好的热性能，能够有效散热，从而提高可靠性和使用寿命。此外，IR3N78Y3/E1的封装形式适用于标准的PCB安装工艺，便于集成到各种电路设计中。
在栅极驱动方面，IR3N78Y3/E1支持较高的栅极电压（±20V），具备良好的抗干扰能力，可防止因电压波动而导致的误导通。该器件还具有较快的开关速度，适合高频应用，从而减少开关损耗，提高系统整体效率。此外，IR3N78Y3/E1采用Trench技术，优化了沟道电阻，使得器件在高负载条件下依然保持良好的性能。
该MOSFET的封装形式（TO-220）具备良好的机械强度和热传导性能，适用于多种工业环境。IR3N78Y3/E1符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，符合现代电子产品的环保要求。
IR3N78Y3/E1广泛应用于各种电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件还可用于家用电器、电源适配器、电池充电器等产品中的功率控制部分。
IRF7807, FDPF7807, FQP15N60C
