IR3N03AN 时间：2025/8/27 22:28:40 阅读：6

IR3N03AN 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的高集成度、高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）驱动芯片，主要用于电源管理和电机控制等应用。该芯片采用了先进的 HVIC（高压集成电路）技术，能够提供高侧和低侧驱动能力，适用于半桥或全桥拓扑结构。IR3N03AN 在工业自动化、电机驱动、DC-DC 转换器和家用电器等应用中具有广泛的应用前景。

参数

供电电压：15V（最大工作电压可达20V）
　　输出电流：高端驱动电流可达0.35A，低端驱动电流可达0.5A
　　工作频率：最高可达1MHz
　　封装类型：8引脚 DIP 或 SOIC
　　输入信号兼容性：TTL 和 CMOS 兼容
　　最大工作温度：-40°C 至 +150°C

特性

IR3N03AN 的主要特性之一是其内置的高端自举电路，能够有效降低外围电路的复杂度，提高系统集成度。
　　该芯片采用的 HVIC 技术使其能够承受高达 600V 的电压，从而适用于高电压环境下的驱动任务。
　　IR3N03AN 具有欠压锁定（UVLO）功能，当供电电压低于设定阈值时，驱动输出将被自动关闭，以防止 MOSFET 工作在不稳定状态，提升系统的可靠性和安全性。
　　此外，该芯片具备较强的抗干扰能力，能够在高 dv/dt 环境中稳定工作，确保驱动信号的准确传输。
　　IR3N03AN 还具有低功耗设计，能够在高频工作条件下保持良好的热稳定性和能效表现。

应用

IR3N03AN 主要应用于各种功率电子系统中，包括电机驱动器、变频器、感应加热设备、不间断电源（UPS）、DC-AC 逆变器以及工业自动化控制系统。
　　在电机控制领域，IR3N03AN 可用于驱动无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM），实现高效、平稳的转速控制。
　　在电源转换系统中，该芯片适用于构建半桥或全桥结构的功率转换电路，广泛用于开关电源（SMPS）、逆变器和 DC-DC 转换器中。
　　此外，由于其高抗干扰能力和宽工作温度范围，IR3N03AN 也适用于一些严苛的工作环境，如工业现场控制设备和家用电器中的功率控制模块。