IR3M16U6 时间：2025/8/28 0:24:01 阅读：7

IR3M16U6 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。IR3M16U6 通常采用 TSOP 或 DFN 封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合在高密度电路设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.8mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：44W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOP/DFN

特性

IR3M16U6 的主要特性包括极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其先进的沟槽技术确保了在高电流条件下的稳定性能，同时具备良好的热稳定性，降低了温度升高对器件性能的影响。
　　该器件的高栅极电荷（Qg）优化设计使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流器等场景。此外，IR3M16U6 提供了强大的过热保护和过电流保护能力，增强了系统的可靠性。
　　IR3M16U6 的封装设计具有优良的散热性能，能够在有限的空间内实现高效的热管理。其小型封装形式适合用于对空间要求较高的便携式设备和嵌入式系统中，同时保持了良好的机械强度和电气性能。
　　该MOSFET还具备优异的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下保护电路，防止因电压尖峰导致的器件损坏。这种特性使其在电机驱动和负载开关等应用中表现出色。

应用

IR3M16U6 主要用于各种功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理和工业自动化设备等。
　　在电源管理领域，IR3M16U6 可用于高效同步整流拓扑中，作为高边或低边开关，提升电源转换效率。在电池管理系统中，该器件可作为充放电控制开关，确保电池安全运行。
　　在电机控制应用中，IR3M16U6 可用于 H 桥结构中，驱动小型电机或风扇，提供稳定的电流控制能力。此外，其高电流承载能力和低 Rds(on) 也使其适用于高功率 LED 驱动和热插拔电源控制等场景。
　　由于其小型封装和高效散热能力，IR3M16U6 也广泛应用于便携式电子产品、通信设备和服务器电源模块中，以满足对高功率密度和小尺寸设计的需求。