时间：2025/8/27 15:24:06
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IR3M14N4 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率转换和控制的电路中。这款MOSFET采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻、高电流能力和优异的热性能。IR3M14N4 特别适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大4.7mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PG-HSOF-8（表面贴装）
IR3M14N4 是一款高性能的功率MOSFET，采用了英飞凌的沟槽技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)）和高电流能力。该器件具有优异的热管理和效率，能够在高负载条件下保持稳定的性能。此外，IR3M14N4 的封装设计使其适用于高密度电路板布局，并提供了良好的散热性能。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持从标准逻辑电平到10V以上的驱动电压，从而提高了设计的灵活性。同时，IR3M14N4 具有快速开关特性，能够减少开关损耗并提高系统的整体效率。其内部结构优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于降低外部滤波需求。
在可靠性方面，IR3M14N4 符合汽车行业标准，具备高耐用性和长期稳定性，适合在苛刻的工业和汽车环境中使用。该器件的封装材料符合RoHS环保标准，确保了其在现代电子产品中的可持续性应用。
IR3M14N4 主要应用于需要高效功率管理的场合，如同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、汽车电子系统以及工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通损耗，IR3M14N4 特别适合用于高效率电源转换系统，例如服务器电源、电信设备电源和电动汽车充电系统。
IRF1404, SiR140DP, IR3M12N4L
