时间：2025/8/2 5:01:57
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PDC6988Z-5是一种功率MOSFET，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供了优异的导通特性和快速的开关性能。PDC6988Z-5通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和高侧开关等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：约3.5mΩ（典型值）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
PDC6988Z-5具有低导通电阻的特点，这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。其快速开关特性使其适用于高频开关应用，从而减小外部电感和电容的尺寸。此外，该器件具有较高的热稳定性和过载能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。PDC6988Z-5的封装形式提供了良好的散热性能，确保在高电流条件下的可靠性。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持安全运行。
PDC6988Z-5广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、负载开关和高侧开关等场合。其高效能特性也使其成为电动汽车、工业自动化和通信设备中理想的功率开关元件。
SiR872DP-T1-GE3, IPB013N04NG4S, FDS6680, IRLR2905
