类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：13A
　　最大漏极-源极电压（Vds）：30V
　　最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为5.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8-4

IR3M13N4/E2 MOSFET具备多项高性能特性，适用于高要求的功率应用。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件采用先进的沟槽式技术，优化了开关性能，使其在高频应用中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗。
　　此外，IR3M13N4/E2支持高达±20V的栅极-源极电压，增强了器件在高压瞬态环境下的稳定性与可靠性。其封装形式为PG-HSOF-8-4，具备良好的热管理能力，能够在高电流负载下保持较低的工作温度，从而提高长期运行的稳定性。
　　该器件还内置了防静电保护（ESD保护）功能，能够有效防止因静电放电引起的损坏，提高了在工业环境中的耐用性。同时，其-55°C至+175°C的宽工作温度范围，使其适用于极端环境条件下的应用，如汽车电子、工业控制和户外设备等。

IR3M13N4/E2 广泛应用于多种高功率密度和高效率的电子系统中。它特别适合用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及各种类型的电源模块。在汽车电子领域，该MOSFET常用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等关键部件。
　　由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件也常被用于高效率的服务器电源、通信设备电源模块、便携式储能设备以及智能电表等消费类和工业类产品中。此外，在太阳能逆变器、储能系统和UPS（不间断电源）等能源管理领域，IR3M13N4/E2 也具备优异的性能表现。

SiHH13N30CDS-T1-E3, IPB13N30N3 G, STN3NF30L