类型：高边MOSFET驱动器
　　工作电压范围：10V ~ 20V
　　输出电流能力：最大1.5A（峰值）
　　高压侧浮动电压：最高可达+600V
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOIC-8
　　驱动方式：自举型（Bootstrap）
　　输入信号兼容性：TTL/CMOS电平
　　传播延迟时间：典型值约150ns
　　上升/下降时间：典型值15ns/10ns

IR3M03N4(E2)具有出色的高压耐受能力，其浮动电压可达600V，适用于高边开关电路中的MOSFET驱动。该器件内部集成了死区时间控制和欠压锁定保护（UVLO）功能，防止上下桥臂直通和异常工作状态。其驱动能力较强，可提供高达1.5A的峰值输出电流，确保MOSFET能够快速导通和关断，从而降低开关损耗并提高系统效率。此外，IR3M03N4(E2)具备较强的抗干扰能力，适合工业和车载环境中使用。其SOIC-8封装形式便于PCB布局，并具备良好的热稳定性。
　　该IC的输入端兼容TTL和CMOS电平，方便与微控制器、DSP或FPGA等控制器连接。其内部自举电路通过外部自举电容和二极管供电，确保高边MOSFET的栅极驱动电压稳定。同时，器件具备快速传播延迟和低延迟匹配特性，有助于实现精确的PWM控制。IR3M03N4(E2)还具备过温保护功能，防止因过热导致的器件损坏。

IR3M03N4(E2)广泛应用于各类需要高边MOSFET驱动的电路中，例如无刷直流电机驱动器、三相逆变器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、伺服电机控制器、工业自动化设备、电动工具和电动车控制器等。在H桥或半桥拓扑结构中，该IC可作为上桥臂的驱动单元，配合低边驱动器共同控制功率开关的导通与关断。由于其高压能力和高可靠性，也常用于汽车电子系统如电动助力转向（EPS）和车载充电器中。

IR2110、IR2011、BM61S101、Si8235、LM5109