类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：11A（Tc=25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大3.9mΩ（Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：4.2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PG-HSON-8

IR3M03N4/E2是一款高性能的N沟道MOSFET，采用了Infineon的沟槽栅技术，具有出色的导通性能和开关特性。该器件的最大漏源电压为30V，适用于多种电源管理应用。在Vgs=10V时，Rds(on)最大仅为3.9mΩ，这大大降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　该MOSFET的连续漏极电流可达11A，在高温环境下仍能保持稳定运行，具有良好的热稳定性。此外，其最大功率耗散为4.2W，确保在高负载条件下仍能有效散热。IR3M03N4/E2的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　该器件采用PG-HSON-8封装，体积小巧，适合高密度PCB布局设计。封装设计优化了热管理性能，有助于提高系统的可靠性和寿命。此外，该MOSFET具备优异的抗雪崩能力和过载保护性能，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业设备、汽车电子和消费类电子产品。

IR3M03N4/E2广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统、服务器电源、工业自动化设备、汽车电子以及消费类电子产品。在电源管理方面，该MOSFET可用于高效能电源供应器、同步整流器和稳压模块。在DC-DC转换器中，IR3M03N4/E2能够提供高效的升压或降压功能，适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路。
　　在负载开关应用中，该器件能够实现快速开关控制，减少待机功耗，提高系统能效。在电机控制方面，IR3M03N4/E2可用于驱动小型直流电机、步进电机和风扇控制电路，提供稳定的输出和高效的能量转换。此外，该MOSFET也适用于电池管理系统，用于控制电池充放电路径，提高电池使用效率和安全性。
　　由于其优异的热管理和电气性能，IR3M03N4/E2也被广泛用于服务器电源、工业控制设备、LED照明驱动电路以及各类嵌入式系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源管理、电动助力转向系统、车载娱乐系统和车身控制模块。

Si4410BDY-T1-GE3, BSC03N03LS G, IPB03N03LA G