IR3E3074 时间：2025/8/28 7:46:00 阅读：6

IR3E3074 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和快速开关性能，适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：100A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：310A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时，最大值为4.7mΩ；@VGS=4.5V时，最大值为6.7mΩ
　　最大功耗（PD）：240W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PG-TO220-3-1（TO-220）或PG-TO263-2（D2PAK）

特性

IR3E3074 采用英飞凌的OptiMOS?技术，提供了非常低的RDS(on)值，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。
　　其先进的沟槽栅极设计确保了快速的开关性能，降低了开关损耗，适合高频应用。
　　该器件具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，延长使用寿命。
　　内置的雪崩能量保护功能增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
　　此外，IR3E3074具备高dv/dt抗扰能力，可有效防止因电压瞬变引起的误开通。
　　由于其高集成度和紧凑的封装，它在空间受限的设计中也非常适用。
　　该MOSFET的栅极氧化层设计增强了其抗静电能力，提升了器件在制造和使用过程中的稳定性。

应用

IR3E3074 被广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域，常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和负载开关电路。
　　在工业自动化设备中，可用于电机驱动器和可编程逻辑控制器（PLC）中的功率控制部分。
　　该器件也适用于电池管理系统，如电动工具、无人机和储能系统中的充放电控制电路。
　　在汽车电子领域，IR3E3074 可用于车载充电器、起停系统和车身控制模块等应用。
　　此外，它还被用于服务器和通信设备的高效电源模块中，以提高系统的整体能效和稳定性。