AFGHL40T65SQ是一款基于碳化硅(SiC)技术的MOSFET功率晶体管,适用于高频和高效率开关应用。该器件采用TO-247封装形式,具有较低的导通电阻以及出色的开关性能,广泛用于电源转换、电机驱动以及太阳能逆变器等领域。
此器件通过先进的制造工艺优化了其热特性和电气特性,从而使其在高压条件下也能保持高效能表现。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:40A
导通电阻:8mΩ
栅极电荷:120nC
开关频率:100kHz~1MHz
工作温度范围:-55℃~175℃
AFGHL40T65SQ具有非常低的导通电阻,这使得它在高负载电流下仍然能够维持较低的功耗损失。此外,这款MOSFET还具备快速开关能力,减少了开关过程中的能量损耗,提升了整体系统的效率。
由于采用了碳化硅材料,该器件在高温环境下依然可以稳定运行,同时支持更高的开关频率,这对于小型化和轻量化设计至关重要。
另外,其良好的短路耐受能力和抗电磁干扰性能,进一步增强了系统在复杂环境下的可靠性。
该器件适用于多种高效率电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
- 太阳能逆变器中的DC-AC转换模块
- 电动汽车充电桩的核心功率变换电路
- 工业级电机驱动控制器
- 不间断电源(UPS)系统
- 高频DC-DC转换器
AFGHL40T65SQR
C2M0160120D
FCSJ40GA65B