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AFGHL40T65SQ 发布时间 时间:2025/5/24 21:09:29 查看 阅读:10

AFGHL40T65SQ是一款基于碳化硅(SiC)技术的MOSFET功率晶体管,适用于高频和高效率开关应用。该器件采用TO-247封装形式,具有较低的导通电阻以及出色的开关性能,广泛用于电源转换、电机驱动以及太阳能逆变器等领域。
  此器件通过先进的制造工艺优化了其热特性和电气特性,从而使其在高压条件下也能保持高效能表现。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:120nC
  开关频率:100kHz~1MHz
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

AFGHL40T65SQ具有非常低的导通电阻,这使得它在高负载电流下仍然能够维持较低的功耗损失。此外,这款MOSFET还具备快速开关能力,减少了开关过程中的能量损耗,提升了整体系统的效率。
  由于采用了碳化硅材料,该器件在高温环境下依然可以稳定运行,同时支持更高的开关频率,这对于小型化和轻量化设计至关重要。
  另外,其良好的短路耐受能力和抗电磁干扰性能,进一步增强了系统在复杂环境下的可靠性。

应用

该器件适用于多种高效率电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  - 太阳能逆变器中的DC-AC转换模块
  - 电动汽车充电桩的核心功率变换电路
  - 工业级电机驱动控制器
  - 不间断电源(UPS)系统
  - 高频DC-DC转换器

替代型号

AFGHL40T65SQR
  C2M0160120D
  FCSJ40GA65B

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AFGHL40T65SQ参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥41.18000管件
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)160 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值239 W
  • 开关能量250μJ(开),90μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷68 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值15ns/70ns
  • 测试条件400V,20A,6欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3