类型：光耦合器 - 达林顿输出
　　电流传输比（CTR）：500% - 600%
　　最大正向电流（IF）：60 mA
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大发射极-集电极电压（VEC）：7 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　封装类型：DIP-4
　　隔离电压：5.0 kVrms
　　响应时间：约 3 μs（典型值）

IR3E3074/E2 光耦合器的核心特性之一是其采用达林顿输出结构，这种结构由两个晶体管组成，可以提供更高的电流增益，从而实现更高的电流传输比（CTR）。CTR 的范围在 500% 到 600% 之间，这意味着即使在较小的输入电流下，也能获得较大的输出电流，提高了系统的响应灵敏度和驱动能力。
　　该光耦的隔离电压高达 5.0 kVrms，确保了在高压环境下的电气隔离性能，适用于工业自动化和电源管理领域。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +110°C，表明其具备良好的耐温性能，可以在较为恶劣的工业环境中稳定运行。
　　封装采用标准的 DIP-4 封装形式，便于 PCB 布局和焊接，同时也符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子制造要求。响应时间约为 3 μs（典型值），使其在需要快速信号传输的应用中表现良好。
　　此外，IR3E3074/E2 还具有良好的抗干扰能力，能够在存在电磁干扰的环境中保持信号的完整性。这些特性使得 IR3E3074/E2 成为电源转换、马达控制、继电器驱动、工业自动化系统等应用的理想选择。

IR3E3074/E2 主要应用于需要电气隔离和高灵敏度信号传输的场合。典型应用包括开关电源（SMPS）中的反馈控制、变频器中的信号隔离、PLC（可编程逻辑控制器）输入输出模块、工业自动化设备中的继电器控制电路、电表和传感器接口、马达驱动器中的隔离电路等。
　　由于其高电流传输比和优异的隔离性能，IR3E3074/E2 也广泛用于通信设备中的数字信号隔离，确保不同电位系统之间的安全连接。在医疗电子设备中，该光耦合器可以用于患者隔离电路，以满足严格的安全标准。
　　此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）、智能电表、家用电器控制板等消费类和工业类产品中，作为信号隔离和电平转换的关键组件。

TLP127(Toshiba), PC817(Daewoo), LTV-847(Broadcom), EL817(Sanken)