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IR323/H0-A 发布时间 时间:2025/8/29 17:54:17 查看 阅读:13

IR323/H0-A 是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的高集成度、高性能的功率开关器件,属于其CoolMOS?产品系列。该器件采用先进的超结(SJ)技术,具有更低的导通电阻和更高的开关效率,适用于高功率密度的电源系统设计。IR323/H0-A 是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于工业电源、服务器电源、适配器和电池充电系统等领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):11A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.25Ω
  栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220
  功率耗散(Pd):50W

特性

IR323/H0-A MOSFET采用了英飞凌先进的CoolMOS技术,具备优异的开关性能和导通损耗平衡,有助于提升整体系统的能效。该器件的导通电阻较低,使得在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗,减少发热并提升系统稳定性。
  此外,IR323/H0-A具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常工作条件下的可靠性。其±20V的栅极电压耐受能力也提升了器件在高频开关应用中的稳定性。
  该MOSFET的封装形式为TO-220,便于散热设计,适用于多种通用和工业级应用。该封装还具有良好的机械强度和电气隔离性能,适合在恶劣环境下使用。
  IR323/H0-A的制造工艺符合RoHS环保标准,适用于绿色电子产品的设计需求。

应用

IR323/H0-A广泛应用于各类中高功率电源系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动器、工业自动化设备电源模块、电池充电器以及电动工具和家电中的功率控制电路。
  由于其高耐压和良好的导通性能,该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。在服务器电源和通信设备电源中,IR323/H0-A能够有效降低损耗并提升系统整体效率。
  此外,在太阳能逆变器和电动汽车充电设备中,该MOSFET也能提供稳定可靠的功率控制性能,适用于对可靠性和能效要求较高的应用场景。

替代型号

SPW20N60C3, FQA11N60C, IRFGB40N60HD

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IR323/H0-A参数

  • 标准包装500
  • 类别光电元件
  • 家庭红外发射极
  • 系列*
  • 其它名称1080-1079