时间：2025/8/29 17:54:17
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IR323/H0-A 是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的高集成度、高性能的功率开关器件，属于其CoolMOS?产品系列。该器件采用先进的超结（SJ）技术，具有更低的导通电阻和更高的开关效率，适用于高功率密度的电源系统设计。IR323/H0-A 是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于工业电源、服务器电源、适配器和电池充电系统等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：11A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：典型值0.25Ω
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
功率耗散(Pd)：50W
IR323/H0-A MOSFET采用了英飞凌先进的CoolMOS技术，具备优异的开关性能和导通损耗平衡，有助于提升整体系统的能效。该器件的导通电阻较低，使得在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，减少发热并提升系统稳定性。
此外，IR323/H0-A具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。其±20V的栅极电压耐受能力也提升了器件在高频开关应用中的稳定性。
该MOSFET的封装形式为TO-220，便于散热设计，适用于多种通用和工业级应用。该封装还具有良好的机械强度和电气隔离性能，适合在恶劣环境下使用。
IR323/H0-A的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计需求。
IR323/H0-A广泛应用于各类中高功率电源系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动器、工业自动化设备电源模块、电池充电器以及电动工具和家电中的功率控制电路。
由于其高耐压和良好的导通性能，该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。在服务器电源和通信设备电源中，IR323/H0-A能够有效降低损耗并提升系统整体效率。
此外，在太阳能逆变器和电动汽车充电设备中，该MOSFET也能提供稳定可靠的功率控制性能，适用于对可靠性和能效要求较高的应用场景。
SPW20N60C3, FQA11N60C, IRFGB40N60HD
