IR323/H0-A 是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的高集成度、高性能的功率开关器件,属于其CoolMOS?产品系列。该器件采用先进的超结(SJ)技术,具有更低的导通电阻和更高的开关效率,适用于高功率密度的电源系统设计。IR323/H0-A 是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于工业电源、服务器电源、适配器和电池充电系统等领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):11A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):典型值0.25Ω
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
功率耗散(Pd):50W
IR323/H0-A MOSFET采用了英飞凌先进的CoolMOS技术,具备优异的开关性能和导通损耗平衡,有助于提升整体系统的能效。该器件的导通电阻较低,使得在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗,减少发热并提升系统稳定性。
此外,IR323/H0-A具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常工作条件下的可靠性。其±20V的栅极电压耐受能力也提升了器件在高频开关应用中的稳定性。
该MOSFET的封装形式为TO-220,便于散热设计,适用于多种通用和工业级应用。该封装还具有良好的机械强度和电气隔离性能,适合在恶劣环境下使用。
IR323/H0-A的制造工艺符合RoHS环保标准,适用于绿色电子产品的设计需求。
IR323/H0-A广泛应用于各类中高功率电源系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动器、工业自动化设备电源模块、电池充电器以及电动工具和家电中的功率控制电路。
由于其高耐压和良好的导通性能,该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。在服务器电源和通信设备电源中,IR323/H0-A能够有效降低损耗并提升系统整体效率。
此外,在太阳能逆变器和电动汽车充电设备中,该MOSFET也能提供稳定可靠的功率控制性能,适用于对可靠性和能效要求较高的应用场景。
SPW20N60C3, FQA11N60C, IRFGB40N60HD