类型：DrMOS（集成驱动与MOSFET）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：上管典型值 4.5mΩ，下管典型值 2.7mΩ
　　工作温度范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：PQFN 5x6mm 或类似无铅封装
　　输入电压范围（VDD）：4.5V 至 25V
　　栅极驱动电压：典型10V
　　开关频率支持：最高可达1.5MHz
　　控制接口：兼容SVID 4.0协议
　　静态电流：典型值小于1mA（待机模式）
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W
　　符合RoHS标准：是
　　工作结温：最高150°C

IR3080的核心优势在于其高度集成化的设计理念，将高压侧和低压侧的功率MOSFET以及相应的栅极驱动器整合于单一芯片内部，极大地优化了功率转换效率并减小了整体解决方案尺寸。这种集成方式有效减少了传统分立方案中因PCB走线带来的寄生电感，从而抑制了开关过程中的电压尖峰和振荡现象，提升了系统的电磁兼容性与稳定性。同时，由于驱动器与MOSFET之间的连接路径极短，开关延迟更小，响应速度更快，特别适合高频PWM调制应用，能够在保持高效率的同时实现快速瞬态响应，满足现代微处理器在不同负载状态之间频繁切换时对供电电压稳定性的严苛要求。
　　该芯片采用先进的硅工艺制造，具备极低的导通电阻（RDS(on)），这不仅降低了导通损耗，还在大电流输出条件下显著减少了发热，有助于提升整体能效。例如，在典型工作条件下，即使输出电流达到50A以上，其温升仍处于可控范围，配合良好的散热设计可长期稳定运行。此外，IR3080内置智能驱动电路，具备自适应死区时间控制功能，防止上下桥臂直通短路，进一步提高可靠性。驱动器还支持可编程的开启/关断速率调节，允许工程师根据具体应用需求平衡开关速度与EMI性能。
　　在保护机制方面，IR3080集成了多重安全特性。包括基于电流检测的逐周期过流保护（OCP），当检测到异常大电流时会立即关闭输出以防止损坏；精确的温度传感器实现过温保护（OTP），可在芯片结温过高时自动进入保护模式；以及欠压锁定（UVLO）功能，确保在供电电压不足时不误触发开关动作。这些保护措施共同构建了一个鲁棒性强、容错能力高的电源子系统。此外，通过SVID接口，IR3080能够接收来自CPU或电源管理单元的指令，实时调整输出电压，并反馈电流、电压、温度等遥测数据，支持高级电源管理策略如DVFS（动态电压频率调整），从而实现节能与性能的最佳平衡。

IR3080主要用于高性能计算领域的核心供电系统，典型应用场景包括服务器主板上的CPU供电模块（Vcore），尤其是支持Intel Xeon、Core i7/i9等高端处理器的平台。它也广泛用于图形工作站、AI训练服务器、FPGA加速卡和高端桌面PC中，作为GPU或专用协处理器的电源解决方案。由于其支持SVID通信协议，能够与VRM控制器协同工作，实现精准的电压调节和动态负载响应，因此非常适合需要多相并联工作的复杂电源架构。在数据中心环境中，多个IR3080器件常被并联使用，构成多相降压变换器，以分担大电流负载，提升整体效率和热分布均匀性。此外，该芯片也可用于需要高功率密度和高效能比的工业自动化设备、网络通信设备（如交换机、路由器）中的电源子系统。由于其具备优良的热性能和可靠性，IR3080在长时间满负荷运行的环境下依然表现稳定，是追求高性能与高可靠性的电源设计的理想选择之一。

IR35221
　　ISL99227
　　TPS53679
　　SiC654
　　MP8759