IR2E65U6 时间：2025/8/29 22:20:30 阅读：5

IR2E65U6 是一款由 Infineon（英飞凌）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻和高开关性能。IR2E65U6 特别适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统以及电池供电设备等应用。该器件的封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），具有良好的散热性能，能够在高电流条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：60V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.8A
　　导通电阻(Rds(on))：25mΩ（典型值）
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSOP

特性

IR2E65U6 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其Rds(on)在典型工作条件下仅为25mΩ，使得在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提高了整体系统的能效表现。
　　IR2E65U6 支持高达4.8A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。其栅极驱动电压范围为±20V，确保了器件在不同驱动条件下的稳定性。　　另外，IR2E65U6 具有较高的耐用性和可靠性，能够在恶劣的工作环境中长时间运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和消费类电子产品。

应用

IR2E65U6 MOSFET 主要用于电源管理和功率转换领域。例如，在DC-DC转换器中，该器件可以作为高效的开关元件，提高转换效率并减小电源模块的体积。
　　在同步整流器应用中，IR2E65U6 可以替代传统的肖特基二极管，降低导通压降，提高整流效率，尤其适用于高精度和高效能的电源系统。
　　此外，该MOSFET 还广泛应用于负载开关电路中，用于控制电源的通断，适用于移动设备、笔记本电脑、平板电脑等便携式电子产品的电源管理。
　　在电池管理系统中，IR2E65U6 可用于电池充放电控制，确保电池的安全运行并延长使用寿命。
　　该器件还可用于电机控制、LED驱动器、工业自动化设备以及消费类电子产品的电源管理模块。