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GA1206Y273KXABT31G 发布时间 时间:2025/5/19 16:47:35 查看 阅读:8

GA1206Y273KXABT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信领域。该芯片采用先进的工艺制造,能够提供高增益、高效率和低失真的性能表现。其设计优化了线性度和输出功率,适合用于无线基础设施设备、蜂窝基站和其他射频信号放大的应用场景。
  该芯片支持较宽的工作频率范围,并且具备良好的温度稳定性和可靠性。此外,它还内置保护电路,如过热保护和负载短路保护,从而提高了系统的安全性与稳定性。

参数

型号:GA1206Y273KXABT31G
  工作电压:4.5V 至 5.5V
  输出功率:40dBm(典型值)
  增益:18dB(典型值)
  效率:55%(典型值)
  工作频率范围:1.8GHz 至 2.2GHz
  输入匹配阻抗:50Ω
  输出匹配阻抗:50Ω
  封装形式:QFN48
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1206Y273KXABT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 高输出功率:该芯片能够在较宽的频率范围内提供高达 40dBm 的输出功率,满足高功率射频应用的需求。
  2. 高效率:通过优化的设计,芯片在保证高输出功率的同时,还能实现超过 55% 的效率,降低了功耗并提升了系统性能。
  3. 内置保护功能:芯片内部集成了过热保护和负载短路保护功能,确保在异常情况下仍能安全运行。
  4. 宽带设计:支持从 1.8GHz 到 2.2GHz 的频率范围,适用于多种无线通信标准。
  5. 易于使用:芯片具有良好的输入和输出匹配特性,简化了外围电路设计,缩短了开发周期。
  6. 温度稳定性:即使在极端环境温度下,也能保持稳定的性能表现。

应用

GA1206Y273KXABT31G 芯片的主要应用领域包括:
  1.放大器,为基站设备提供高功率射频信号。
  2. 射频通信设备:可用于各种需要高功率射频放大的通信系统。
  3. 无线基础设施:包括微波链路、中继站等设备。
  4. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备:例如无线传感器网络、远程监控设备等。
  5. 军事和航空航天:用于雷达、卫星通信等高要求的应用场景。

替代型号

GA1206Y273KXABT32G, GA1206Y273KXABT30F

GA1206Y273KXABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-