时间：2025/8/28 5:04:16
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IR2E20 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，广泛应用于高功率电子设备中，如工业电机驱动、变频器、电源转换系统等。这款 IGBT 结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性，具有高效、高可靠性和易于控制的优点。IR2E20 采用先进的沟槽栅和场截止技术，实现了更低的开关损耗和导通损耗，适用于需要高效率和高性能的功率转换应用。
类型：IGBT
集电极-发射极电压（Vce）：1200V
集电极电流（Ic）：40A
短路电流能力：80A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
栅极阈值电压（Vge(th)）：4.5V - 6.5V
导通压降（Vce_sat）：2.1V @ Ic=40A, Vge=15V
短路耐受能力：10μs @ Vce=700V
最大工作频率：20kHz
IR2E20 的主要特性之一是其高效的功率转换能力，这得益于其优化的沟槽栅和场截止结构设计，能够显著降低导通损耗和开关损耗。该 IGBT 的最大集电极-发射极电压为 1200V，最大集电极电流为 40A，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。此外，IR2E20 具有较强的短路耐受能力，在 700V 条件下可承受 10μs 的短路电流，提高了系统的可靠性和安全性。
该器件的栅极阈值电压在 4.5V 至 6.5V 之间，适合使用标准的 15V 栅极驱动电压进行控制，便于集成到各种功率控制系统中。IR2E20 的导通压降在 40A 电流下仅为 2.1V，这意味着它在导通状态下的功率损耗较低，有助于提高系统的整体效率。此外，该 IGBT 具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较宽的温度范围内（-55°C 至 +150°C）正常工作，适用于严苛的工业环境。
IR2E20 采用 TO-247 封装形式，便于安装和散热，适用于各种功率模块的设计。该封装形式还提供了良好的电气绝缘性能，确保了器件在高压环境下的安全运行。由于其高性能和高可靠性，IR2E20 被广泛应用于工业电机控制、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电动车辆驱动系统等领域。
IR2E20 主要用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、感应加热设备、焊接电源、太阳能逆变器以及电动汽车的电机控制系统等。在这些应用中，IR2E20 能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。此外，该 IGBT 也适用于需要高频率开关操作的系统，如高频 DC-AC 逆变器和 DC-DC 转换器，因其较低的开关损耗能够有效减少系统发热并提高整体效率。
FGA40N120ANTD, IKW40N120H3
