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IR2D38U6 发布时间 时间:2025/8/29 20:06:18 查看 阅读:8

IR2D38U6 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的高压、高速功率 MOSFET 驱动器芯片,专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT(绝缘栅双极晶体管)而设计。该芯片广泛应用于开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器和 DC-DC 转换器等电力电子系统中。IR2D38U6 采用半桥驱动结构,能够提供高驱动能力和出色的抗干扰能力,适用于高频率、高效率的功率转换场景。

参数

工作电压范围:10V 至 20V
  输出电流能力:高端和低端均为 1A(峰值)
  工作频率:最高可达 1MHz
  输入逻辑兼容性:CMOS/TTL 兼容
  导通延迟时间:约 120ns
  关断延迟时间:约 90ns
  死区时间可调:通过外部电阻设置
  封装类型:8 引脚 SOIC 或 PDIP
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C

特性

IR2D38U6 的核心优势在于其高效的半桥驱动能力和良好的保护机制。该芯片内置高端自举电路,能够有效驱动高压侧的 MOSFET,同时具备欠压锁定(UVLO)功能,确保在供电电压不足时自动关闭输出,防止器件误动作。此外,IR2D38U6 还具有高抗噪能力和快速响应时间,使其在高频开关应用中表现稳定。
  其驱动能力强,能够有效减少功率器件的开关损耗,提高系统效率。同时,该芯片支持死区时间调节,防止上下桥臂同时导通导致的直通电流,从而提高系统的安全性和可靠性。
  IR2D38U6 采用小型封装,便于在紧凑型电路设计中使用,并具备良好的热稳定性,适合工业级和汽车级应用环境。

应用

IR2D38U6 主要用于各种功率电子系统中,包括开关电源、DC-AC 逆变器、电机驱动器、UPS(不间断电源)、DC-DC 转换器以及电动汽车充电系统等。由于其高可靠性和灵活性,该芯片在工业控制、新能源和汽车电子领域均有广泛应用。

替代型号

IR2110, IR2106, IRS2117

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