时间：2025/9/3 16:01:53
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TY25N60E是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有较高的耐压能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等场合。TY25N60E采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：600V
漏极电流(ID)：25A（连续）
栅源电压(VGS)：±30V
导通电阻(RDS(on))：0.22Ω（最大）
功率耗散(PD)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
开启阈值电压(VGS(th))：2V ~ 4V
TY25N60E具备低导通电阻特性，能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。其高耐压能力和大电流承载能力使其适用于多种高功率应用场景。该器件具有快速开关特性，能够实现高频工作，适用于高效率的开关电源设计。此外，TY25N60E内置体二极管，可用于反向电流保护和续流功能。其TO-220封装形式便于安装和散热，适合工业级应用环境。器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
TY25N60E常用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，适用于AC-DC和DC-DC转换器设计。该器件也广泛应用于逆变器、UPS不间断电源、LED照明驱动电源、电机驱动电路以及各种功率控制设备。在工业自动化和电源管理系统中，TY25N60E可用于高效率、高可靠性的电源解决方案。
TK25A60D, IRFBC20, STF25N60DM2, FQA25N60
