时间：2025/12/26 18:54:29
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IR2304STR是一款由Infineon Technologies生产的半桥驱动器芯片，广泛应用于开关电源、电机控制和逆变器等电力电子系统中。该器件集成了一个高端PMOS/NMOS驱动级与低端NMOS驱动级，能够有效驱动外部的功率MOSFET或IGBT组成的半桥结构。其设计旨在提高系统效率、减小电路板空间并增强可靠性。IR2304STR采用高集成度的架构，内置了死区时间逻辑控制，防止上下桥臂直通短路，从而提升系统的安全性和稳定性。该芯片支持自举供电模式，适用于高端浮动通道驱动，在DC-AC逆变器、无刷直流电机（BLDC）驱动、UPS电源以及感应加热等应用中表现出色。此外，IR2304STR具有宽范围的电源电压输入能力，兼容标准逻辑电平输入信号，包括TTL和CMOS电平，使其在多种数字控制器（如MCU、DSP）接口时无需额外的电平转换电路。该器件封装为SOIC-8，具备良好的散热性能和抗干扰能力，适合工业级环境使用。
工作电源电压：10V 至 20V
逻辑输入低电平阈值：≤ 1.4V
逻辑输入高电平阈值：≥ 2.0V
输出驱动电流（峰值）：±200mA
传播延迟时间：典型值 550ns
上升时间：典型值 25ns
下降时间：典型值 20ns
死区时间：典型值 570ns
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：SOIC-8
高端侧浮动电压最大值：600V
自举二极管集成：否
输入信号兼容性：TTL/CMOS
IR2304STR具备优异的高低端驱动能力，内部集成的电平移位技术使得高端NMOS能够被有效地驱动，即使在母线电压高达600V的应用场景下也能稳定运行。其核心优势之一是内置了互锁逻辑电路，确保在任何情况下都不会出现上下桥臂同时导通的情况，从而避免了因直通电流导致的功率器件损坏。这种硬件级保护机制显著提升了系统的鲁棒性，尤其在高频切换场合中至关重要。
该芯片采用自举技术实现高端侧供电，仅需外接一个自举二极管和电容即可完成浮动电源构建，大大简化了外围电路设计，降低了整体成本。由于不集成自举二极管，用户可根据实际需求选择快恢复或肖特基二极管，优化反向恢复损耗和效率表现。
IR2304STR支持高达1MHz的开关频率操作，配合较短且匹配良好的传播延迟，有助于实现精确的PWM控制，减少谐波失真和电磁干扰（EMI）。其输出级采用图腾柱结构，具备较强的瞬态驱动能力，可快速给功率MOSFET的栅极电容充电和放电，降低开关损耗，提高能效。
该器件还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当VCC或VBVS电压低于设定阈值时，输出将被强制拉低，防止因供电不足而导致驱动异常。两个独立的输入通道允许外部控制器分别控制高低边，提供了灵活的控制策略实现可能，例如三相六步换向或同步整流控制。
IR2304STR符合工业级温度规范，可在-40°C至+150°C结温范围内可靠工作，适用于严苛的工业和汽车环境。其SOIC-8封装形式不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴装生产，适用于批量制造场景。
IR2304STR常用于各类需要半桥拓扑结构的电力电子设备中，典型应用包括无刷直流电机（BLDC）控制器，其中它用于驱动H桥中的上下桥臂MOSFET，实现电子换向；在开关模式电源（SMPS）中，作为有源PFC电路或LLC谐振变换器的驱动单元；在光伏逆变器和UPS不间断电源系统中，用于DC-AC转换阶段的功率桥臂驱动；此外，也广泛应用于小型逆变焊机、感应加热设备和电动工具驱动模块。由于其高集成度和高可靠性，特别适合对体积和效率要求较高的嵌入式电源系统。
IRS2304S, IR2104S, IR2104STR, UCC27324
