类型：NPN预偏置双极晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA（每个晶体管）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-236（SC-70）
　　输入电阻：47kΩ（每个晶体管基极）
　　输出电阻：47kΩ（每个晶体管发射极）

LMUN5236DW1T1G 的主要特性之一是其内部集成了两个独立的NPN晶体管，并且每个晶体管的基极和发射极之间都内置了预偏置电阻器，这使得该器件在逻辑电平控制应用中非常方便。预偏置设计可以省去外部偏置电阻，从而节省PCB空间并减少组件数量，提高系统的可靠性。此外，该器件具有较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO）为50V，能够在较高电压环境下稳定工作。
　　LMUN5236DW1T1G 采用SOT-236封装，尺寸小巧，适合用于便携式设备和高密度电路板设计。其最大集电极电流为100mA，适合用于低功率开关应用，例如LED驱动、继电器控制、逻辑电平转换等。
　　该晶体管阵列的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有良好的热稳定性和宽泛的环境适应能力。LMUN5236DW1T1G 的典型应用包括数字电路中的缓冲器、驱动器以及小型信号放大器。其低功耗特性也使其适用于电池供电设备。

LMUN5236DW1T1G 广泛应用于各种电子设备中，尤其适合需要简化电路设计和节省PCB空间的场合。其典型应用包括逻辑电平转换、LED驱动电路、继电器和小型负载的开关控制、低功率放大器、缓冲器电路等。
　　在微控制器系统中，该器件可用于驱动外部设备，如LED显示屏、小型马达、风扇和继电器。由于其预偏置设计，用户无需额外设计偏置电路，从而简化了硬件设计。
　　此外，该晶体管阵列也可用于音频放大器中的前置放大级、数字开关电路以及电源管理模块。由于其SOT-236封装体积小，特别适用于便携式电子产品、智能家居设备和工业控制系统。

MMUN2236DW1T1G, LMUN5236DW1T1G 的替代型号包括：2N3904、2N2222、MMUN5236DW1T1G