IR2184SPBF是高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可达600伏。
浮动通道设计用于引导操作
完全运行到+600V
耐受负瞬态电压
dV/dt免疫
门驱动电源范围从10到20V
两个通道的欠压锁定
3.3V和5V输入逻辑兼容
两个通道匹配的传播延迟
逻辑和电源接地+/-5V偏置。
更低的di/dt门驱动器,具有更好的抗噪性
输出源/汇电流能力1.4A/1.8A
也有无铅(PbF)
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:8-SOIC
包装:管
电压-供电:10V~20V
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
基本产品编号:IR2184
HTSUS:8542.39.0001
驱动配置:半桥
通道类型:同步
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,N沟道MOSFET
逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2.7V
电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A
输入类型:非反相
上升/下降时间(典型值):40ns,20ns
高压侧电压-最大值(自举):600V
产品应用:汽车级
RoHS状态:符合ROHS3规范
湿气敏感性等级(MSL):2(1年)
REACH状态:非REACH产品
ECCN:EAR99
IR2184SPBF原理图
IR2184SPBF引脚图
IR2184SPBF封装