IXFH80N085 时间：2025/7/23 7:34:49 阅读：10

IXFH80N085是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管（MOSFET）芯片，主要用于高电压和高电流的应用。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻、高可靠性和快速开关特性。IXFH80N085特别适用于工业电源、电机控制、逆变器以及各种高功率电子设备。由于其卓越的性能，IXFH80N085在功率电子领域中被广泛使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：85V
　　最大漏极电流(Id)：80A
　　最大导通电阻(Rds(on))：9.2mΩ
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大耗散功率(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFH80N085具有多项卓越特性，使其成为高功率应用的理想选择。首先，它拥有极低的导通电阻（Rds(on)），最大仅为9.2mΩ，这大大降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件的最大漏极电流为80A，能够承受较高的电流负载，适用于高功率需求的电路设计。
　　此外，IXFH80N085的最大漏源电压为85V，适用于中等高电压应用。其栅极电压范围为±20V，确保了器件在各种工作条件下的稳定性和可靠性。封装采用TO-247形式，具有良好的散热性能，能够在高功率下保持较低的工作温度。
　　该MOSFET芯片还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了响应速度，适用于高频开关电路。同时，其高可靠性和耐久性使其在恶劣环境中也能稳定运行，适用于工业级和高可靠性应用场景。最后，IXFH80N085的工作温度范围为-55°C至175°C，适应广泛的温度条件，进一步增强了其适用性。

应用

IXFH80N085广泛应用于多个高功率电子系统中。在工业领域，它常用于电机驱动和逆变器系统，以提供高效的能量转换和稳定的电机控制。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件也适用于开关电源（SMPS）设计，能够显著提高电源转换效率并减少发热。
　　在新能源领域，IXFH80N085可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中，帮助实现高效的能源管理。同时，它也被广泛应用于电动汽车和充电设备中的功率控制电路，以满足高功率和高可靠性的需求。
　　此外，该MOSFET芯片还常见于不间断电源（UPS）、电焊机、电磁加热设备等应用中，提供稳定和高效的功率控制。由于其卓越的开关性能和高耐压能力，IXFH80N085在各类功率电子设备中发挥着关键作用。