时间：2024/3/26 16:56:22
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IR2183SPBF是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏。
专为自举操作设计的浮动通道
完全运行时的电压高达600V
容许负瞬态电压高
不受dV/dt影响
栅极驱动供电电压范围：10至20V
双通道欠压锁定
3.3V和5V输入逻辑兼容
双通道的匹配传播延迟
逻辑和电源接地+/-5V偏移
较低的di/dt栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
输出拉/灌电流能力为1.4A/1.8A
品牌：Infineon(英飞凌）
封装：8-SOIC
包装：管
电压-供电：10V~20V
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
基本产品编号：IR2183
HTSUS：8542.39.0001
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N沟道MOSFET
逻辑电压-VIL，VIH：0.8V，2.7V
电流-峰值输出（灌入，拉出）：1.9A，2.3A
输入类型：反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：40ns，20ns
高压侧电压-最大值（自举）：600V
产品应用：汽车级
湿气敏感性等级(MSL)：2（1年）
REACH状态：非REACH产品
ECCN：EAR99
IR2183SPBF原理图
IR2183SPBF引脚图
IR2183SPBF封装
