时间：2025/8/9 17:19:05
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FMW21N60G是一款由富满电子（Fuman Electronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率、高频率的开关电源、DC-DC转换器、照明设备以及其他功率电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适合在高温和高负载条件下工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：21A
漏源击穿电压（BVDSS）：600V
导通电阻（Rds(on)）：≤0.22Ω @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、TO-263等
FMW21N60G具有多项优异的电气和物理特性，适用于高要求的功率应用环境。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。该特性对于高电流应用场景尤为重要，有助于减少发热并提升系统稳定性。
其次，该MOSFET的漏源击穿电压高达600V，具备良好的耐压能力，适用于高电压输入的开关电源和逆变器设计。其高电流承载能力（最大漏极电流为21A）使得该器件在中高功率转换器中表现出色。
此外，FMW21N60G采用了先进的硅工艺和封装技术，确保了良好的热管理和可靠性。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于多种工业环境，包括高温和高湿度条件下的应用。
该MOSFET的栅极电压范围为±20V，具有良好的驱动兼容性，可与常见的驱动IC和控制器配合使用。其快速开关特性有助于降低开关损耗，提高工作频率，适用于高频开关电源和DC-DC转换器的设计。
FMW21N60G广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. **开关电源**：适用于AC-DC电源适配器、PC电源、服务器电源等，提供高效率和高稳定性的功率开关解决方案。
2. **DC-DC转换器**：用于通信设备、工业控制设备中的电压转换系统，满足高频率、高效率的设计需求。
3. **LED照明电源**：作为LED驱动电源中的开关元件，提高电源转换效率并延长LED使用寿命。
4. **电机驱动**：适用于小功率电机控制系统，如家电、电动工具等，提供可靠的功率控制能力。
5. **逆变器与UPS系统**：用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中，支持高电压、高频率的功率转换需求。
FQA20N60C、20N60、K2143、FDPF20N60、FMW20N60G
