类型：栅极驱动器
　　通道类型：高边/低边驱动
　　输出配置：半桥
　　电压 - 供电：10V ~ 20V
　　输入类型：非反相
　　延迟时间（典型值）：25ns
　　上升时间（典型值）：18ns
　　下降时间（典型值）：17ns
　　电流 - 峰值输出（源出/吸入）：4.2A / 4.2A
　　工作温度：-40°C ~ 125°C
　　安装类型：表面贴装型
　　封装/外壳：SOIC-8
　　逻辑电压 - 最大值：5.5V
　　高压侧最大电压（自举）：600V
　　输出通道数：1
　　传播延迟：约50ns

IR21366的特性之一是其采用的高压电平位移技术，使得高端通道能够跨越浮动地电位进行有效驱动，从而支持在半桥拓扑结构中的高边N沟道MOSFET的应用。这种技术避免了使用成本更高且效率较低的P沟道MOSFET，同时提升了开关速度和导通性能。该芯片内置的匹配传输延迟设计保证了上下管之间的精确同步，显著降低了交叉导通的风险，提高了系统的安全性和稳定性。
　　另一个关键特性是其强大的驱动能力，峰值输出电流可达±4.2A，在快速充放电栅极电容方面表现出色，尤其适合用于高频开关场合，如DC-DC变换器、逆变器和马达驱动电路。高驱动电流可以缩短开关过渡时间，进而减少开关损耗，提升整体能效。同时，该器件具有宽泛的供电电压范围（10V至20V），允许灵活选择外部驱动电源，并确保在不同负载条件下保持稳定的驱动性能。
　　IR21366还集成了完备的欠压锁定（UVLO）保护机制，当VCC或VBUS引脚电压低于设定阈值时，输出将被强制关闭，防止因电源不稳定导致的误操作或器件损坏。此功能对于保障功率系统的启动安全和异常情况下的自动复位至关重要。此外，输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，即使在较低控制信号电压（如3.3V或5V）下也能可靠触发，增强了与现代数字控制器的兼容性。
　　该器件具备优异的抗噪能力和电磁兼容性（EMC），通过优化内部电路布局和增加滤波措施，有效抑制dV/dt干扰对高端侧驱动的影响。其SOIC-8封装不仅节省PCB空间，还提供了足够的隔离距离以满足高压应用的安全要求。总体而言，IR21366凭借高集成度、高性能和高可靠性，成为中小功率开关电源和电机控制系统中的理想选择。

IR21366广泛应用于各类需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的电力电子系统中。常见应用场景包括交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）开关电源，尤其是在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中作为升压斩波器的半桥驱动核心。由于其具备高电压耐受能力和精确的驱动时序控制，非常适合用于通信电源、服务器电源和工业电源模块等对效率和可靠性要求较高的设备。
　　在电机驱动领域，IR21366常用于小型无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）的逆变桥驱动电路中，配合微控制器生成的PWM信号实现精确的速度和转矩控制。其快速响应特性和低传播延迟有助于提升电机运行的平稳性与动态响应性能。此外，在家用电器如空调压缩机、洗衣机驱动板和风扇控制中也有广泛应用。
　　照明系统尤其是电子镇流器和LED恒流驱动电源也是IR21366的重要应用方向。在这些应用中，它用于驱动LLC谐振变换器或半桥拓扑中的功率开关，实现高频软开关操作，从而提高光效并延长灯具寿命。其紧凑的封装形式便于在有限空间内布局，适应现代照明产品轻薄化趋势。
　　除此之外，IR21366还可用于太阳能微型逆变器、UPS不间断电源、电池充电器以及各类工业自动化设备中的功率转换模块。其宽温工作范围和高抗干扰能力使其能在恶劣工业环境中长期稳定运行。无论是消费类还是工业级应用，IR21366都展现了出色的适应性和可靠性，是中低端功率系统中极具性价比的栅极驱动解决方案。

IRS21364, IR2110, UCC27712, L6387E