时间：2024/3/26 17:02:14
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IR2113SPBF是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达500或600伏。
专为自举操作设计的浮动通道
完全运行时的电压高达 600V
提供完全运行时的电压高达+500 V 的版本 (IR2110)
容许负瞬态电压高
不受 dV/dt 影响
栅极驱动供电电压范围：10 至 20V
双通道欠压锁定
3.3 V 逻辑兼容
独立的逻辑供电电压范围：3.3 V 至 20 V
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移
具有下拉的 CMOS 施密特触发输入
逐周期边缘触发关断逻辑
双通道的匹配传播延迟
输出与输入同相
品牌：Infineon(英飞凌）
封装：16-SOIC
电压-供电：3.3V~20V
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
基本产品编号：IR2113
HTSUS：8542.39.0001
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N沟道MOSFET
逻辑电压-VIL，VIH：6V，9.5V
电流-峰值输出（灌入，拉出）：2A，2A
输入类型：非反相
上升/下降时间（典型值）：25ns，17ns
高压侧电压-最大值（自举）：600V
产品应用：汽车级
湿气敏感性等级(MSL)：3（168小时）
REACH状态：非REACH产品
ECCN：EAR99
IR2113SPBF原理图
IR2113SPBF引脚图
IR2113SPBF封装
