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IR2110STR 发布时间 时间:2025/7/16 12:40:25 查看 阅读:5

IR2110STR是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能高压驱动芯片,广泛应用于各种功率电子设备中。该芯片具有高侧和低侧输出通道,可以驱动N沟道或P沟道MOSFET以及IGBT等功率开关器件。其内部集成了自举电路,能够方便地实现高侧驱动电源的生成,适合于半桥、全桥以及其他多电平拓扑结构的功率转换应用。
  IR2110STR采用DIP16封装形式,引脚布局设计合理,易于焊接和使用。它适用于电机控制、逆变器、开关电源等多种场景。

参数

供电电压:10V~20V
  最大输入电压:25V
  最大输出电流:峰值3A
  工作温度范围:-40℃~时间:典型值75ns
  传播延迟匹配:典型值50ns
  逻辑输入兼容性:CMOS/TTL
  封装形式:DIP16

特性

IR2110STR具备以下关键特性:
  1. 高低压侧双驱动通道,支持独立的高低侧驱动功能。
  2. 内置自举二极管,简化高侧驱动电源的设计。
  3. 支持宽范围的工作电压,适应多种应用环境。
  4. 短路保护和欠压锁定功能,增强系统的可靠性。
  5. 低延迟时间和良好的延迟匹配性能,确保快速响应和精确的开关控制。
  6. CMOS/TTL兼容的逻辑输入,便于与数字控制电路对接。
  7. 工作温度范围广,能够在极端环境下稳定运行。
  8. 高集成度设计,减少外围元件数量,降低系统复杂度。

应用

IR2110STR主要应用于以下领域:
  1. 电机驱动控制,包括直流无刷电机、步进电机等。
  2. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器、不间断电源(UPS)等。
  3. 逆变器电路,用于光伏逆变器、电池逆变器等能源转换设备。
  4. 荧光灯电子镇流器。
  5. 各种工业自动化控制中的功率级驱动部分。
  6. 汽车电子中的辅助功率模块驱动。
  由于其强大的驱动能力和稳定性,IR2110STR在需要高效功率转换和精准控制的应用中表现尤为出色。

替代型号

IR2110SPT, IR2111STR, IR2113STR

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IR2110STR参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置高端和低端,独立
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间120ns
  • 电流 - 峰2.5A
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)500V
  • 电源电压10 V ~ 20 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装16-SOIC
  • 包装带卷 (TR)