时间：2025/12/28 15:43:08
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KTC4375-RTF/P是一款N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电子电路中。这款MOSFET采用了先进的工艺制造，具备低导通电阻、高耐压以及良好的热稳定性，适用于各种电源管理和功率转换应用。其封装形式为SOT-23，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100mA
导通电阻(Rds(on))：1.2Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
KTC4375-RTF/P具备多项优异特性，使其在功率MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻确保了在导通状态下，功率损耗较低，从而提高了整体效率。其次，该器件具有较高的栅极击穿电压（±20V），增强了在高电压应用中的稳定性和可靠性。此外，它采用了SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能。
该MOSFET在制造过程中采用了先进的硅加工技术，使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗。同时，其热稳定性良好，即使在高负载条件下也能保持稳定的性能。这些特性使得KTC4375-RTF/P成为众多功率管理应用的理想选择，尤其是在对效率和可靠性要求较高的设计中。
KTC4375-RTF/P广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要高效功率管理的场合。例如，它常用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和低电压功率放大器等电路中。由于其SOT-23封装体积小，也适合在便携式设备和嵌入式系统中使用。此外，该MOSFET还可用于电机控制、LED驱动和电源管理模块等应用，提供高效、稳定的功率控制解决方案。
2N7002K, BSS138, FDN335N
