IR21091STR 时间：2025/12/26 19:35:44 阅读：18

IR21091STR是一款由Infineon Technologies生产的高边和低边栅极驱动器IC，专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率开关器件而设计。该器件采用先进的高压电平位移技术，能够在高噪声、高电压环境中稳定工作，适用于多种功率转换应用。IR21091STR支持单通道高边和低边驱动输出，具备出色的抗dV/dt干扰能力，确保在高频率开关条件下依然保持可靠运行。其封装形式为SOIC-8（窄体），带有强化的爬电距离设计，适合在工业环境和恶劣电气条件下使用。该芯片广泛应用于电机控制、电源变换器、逆变器、DC-AC转换系统等领域。由于其集成度高、外围电路简洁，IR21091STR成为许多中低端功率系统的理想选择。

参数

类型：栅极驱动器
　　通道类型：高低边
　　输出配置：独立
　　工作电压（VDD）：10 V ~ 20 V
　　逻辑电压（Vlogic）：3.3 V / 5 V
　　峰值输出电流：280 mA
　　传播延迟：典型值 240 ns
　　上升时间：典型值 25 ns
　　下降时间：典型值 20 ns
　　高边浮动电压：最高可达 600 V
　　自举二极管：片内集成
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOIC-8 N

特性

IR21091STR具备优异的高边与低边驱动能力，能够同时驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，尤其适用于半桥拓扑结构中的功率开关控制。其内置的电平位移电路允许低电压逻辑信号直接控制高电压侧开关，无需额外的隔离元件，从而简化了系统设计并降低了成本。该芯片采用高压CMOS工艺制造，具有极高的抗噪能力和热稳定性，即使在快速电压变化（dV/dt）环境下也能维持正常工作，避免误触发。
　　一个关键特性是集成了自举二极管，这不仅减少了外部元件数量，还提高了系统的可靠性，尤其是在紧凑型电源设计中具有明显优势。此外，IR21091STR提供匹配的传播延迟时间，确保上下管不会发生直通现象，增强了系统安全性。其输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，支持3.3V和5V微控制器直接接口，无需电平转换电路。
　　该器件还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于安全阈值时会自动关闭输出，防止功率器件在非正常状态下工作。高边驱动采用自举电容供电方式，允许持续导通操作，只要开关周期不断即可维持高边电源。整体设计注重效率与可靠性，适合在高温工业环境中长期运行。其SOIC-8封装虽小巧，但经过优化以增强绝缘性能，满足基本隔离要求，在非隔离式应用中表现卓越。

应用

IR21091STR广泛用于各类电力电子系统中，特别是在需要高效驱动半桥结构的场合。典型应用包括无刷直流电机（BLDC）驱动器、永磁同步电机（PMSM）控制器、开关模式电源（SMPS）、DC-DC变换器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及家用电器中的电机控制模块。由于其支持高频开关操作，也适用于ZVS/ZCS软开关拓扑中的门极驱动需求。此外，在电动汽车辅助系统、电动工具、工业自动化设备中，该芯片也被用于构建紧凑高效的功率驱动单元。其对3.3V和5V逻辑系统的良好兼容性，使其能够无缝连接现代数字控制器如DSP、FPGA和微处理器，实现精确的PWM信号传输与功率级控制。对于需要节省PCB空间且追求高可靠性的嵌入式电源设计而言，IR21091STR是一个成熟且经济的选择。