时间：2024/3/27 16:18:19
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IR2104STRPBF是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高、低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲阶段，设计为最小的驱动器的交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，工作电压从10到600伏。
浮动通道设计用于自举操作完全运行到+600V耐受负瞬态电压dV / dt免疫
栅极驱动电源范围从10到20V
欠压锁定
3.3V, 5V和15V输入逻辑兼容
交叉传导预防逻辑
内部设定截止时间
高侧输出与输入同步
关闭输入，关闭两个通道
两个通道的传播延迟匹配
也可使用无铅
| 分类 | 场效应管(MOSFET) | 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V，3V |
| 制造商 | Infineon(英飞凌) | 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 210mA，360mA |
| 系列 | IR2104 | 输入类型 | 非反相 |
| 驱动配置 | 半桥 | 高压侧电压 - 最大值（自举） | 600 V |
| 通道类型 | 同步 | 上升/下降时间（典型值） | 100ns，50ns |
| 驱动器数 | 2 | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 封装 | 8-SOIC |
IR2104STRPBF原理图
IR2104STRPBF引脚图
IR2104STRPBF封装
