FW111-TL-E 时间：2025/9/21 5:08:09 阅读：8

FW111-TL-E是一款由Vishay Semiconductor Diodes Division生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-123FL超小型封装。该器件专为高频开关电源应用设计，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，能够有效提高电源转换效率并减少功率损耗。FW111-TL-E的结构基于铂掺杂技术，使其在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于需要高可靠性和紧凑布局的现代电子设备。该二极管广泛用于便携式电子产品、DC-DC转换器、续流与箝位电路以及逆变器等场合。其无铅（Pb-free）且符合RoHS指令的环保特性也使其满足当前主流市场的法规要求。此外，SOD-123FL封装具有较小的占板面积和良好的热性能，适合自动化贴片生产流程。

参数

产品类型：肖特基势垒二极管
　　通道数：1
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大平均正向整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF）：550mV @ 1A, 150°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5μA @ 25°C；100μA @ 125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值4ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　湿度敏感等级（MSL）：1（260°C，无限时间）
　　封装直径：不适用（矩形芯片）
　　封装高度：约0.95mm
　　封装长度：约2.0mm
　　封装宽度：约1.25mm

特性

FW111-TL-E的核心优势在于其采用铂掺杂肖特基势垒技术，这种结构显著提升了器件的高温稳定性和抗浪涌能力。传统肖特基二极管在高温下容易出现反向漏电流急剧增加的问题，而铂掺杂工艺通过优化金属-半导体接触界面，抑制了热激发载流子的产生，从而将高温下的漏电流控制在较低水平（125°C时仅为100μA），确保了长期运行的可靠性。
　　该器件的最大重复反向电压为40V，适用于低压直流系统中的整流和续流应用。其最大平均正向整流电流可达1A，在小尺寸封装中表现出优异的电流承载能力。更值得注意的是，在1A电流和150°C高温条件下，其正向压降仅为550mV，这意味着导通损耗极低，有助于提升整体能效并减少散热需求。
　　反向恢复时间是衡量二极管开关速度的关键指标，FW111-TL-E的典型trr仅为4ns，属于超快恢复类型，特别适合高频开关电源环境，如同步整流、DC-DC变换器等，可大幅降低开关损耗并抑制电磁干扰（EMI）。
　　SOD-123FL封装不仅体积小巧（约2.0 x 1.25 x 0.95mm），节省PCB空间，还具备优良的热传导性能，支持高密度贴装。器件符合JEDEC标准的湿度敏感等级1级，意味着在回流焊过程中无需特殊防潮处理，简化了生产工艺。同时，产品无卤素且符合RoHS环保规范，适用于消费类、工业级及汽车电子等多种应用场景。

应用

FW111-TL-E因其高效、紧凑和可靠的特性，被广泛应用于多种电力电子场景。在移动设备如智能手机和平板电脑中，常用于电池充电路径管理、电源切换以及DC-DC升压或降压模块中的续流二极管，帮助实现轻薄化设计和延长续航时间。
　　在各类AC-DC适配器和USB充电器中，该器件可用于次级侧整流或输出端的防倒灌保护，利用其低VF和快恢复特性提升转换效率，满足能源之星或CoC Tier 2等能效标准。
　　通信设备中的FPGA、DSP或ASIC供电模块通常包含多相VRM（电压调节模块），FW111-TL-E可作为这些非同步BUCK电路中的自由轮转二极管，提供快速响应和低功耗表现。
　　此外，在LED照明驱动电源、便携式医疗仪器、IoT终端节点以及汽车信息娱乐系统的电源部分，该二极管也能发挥出色的性能。由于其具备一定的耐瞬态冲击能力（30A浪涌电流），在存在电压突变或负载切换的环境中依然稳定工作。
　　对于需要小型化设计的无人机、可穿戴设备和智能家居传感器等新兴领域，FW111-TL-E的小尺寸封装和高性能平衡使其成为理想的功率元件选择。其宽温工作范围也支持工业级甚至部分汽车级应用条件。