工作输入电压范围：85VAC - 265VAC
　　启动电压：约12.5V
　　关断电压：约8.5V
　　工作频率范围：典型值40kHz至100kHz，可变频准谐振操作
　　最大占空比：95%以下
　　电流检测阈值：典型值0.85V
　　反馈输入类型：光耦输入，支持直接连接光耦二极管
　　驱动输出能力：图腾柱输出，峰值拉/灌电流±0.5A
　　软启动时间：内部设定，约10ms
　　封装形式：SOIC-8, DIP-8
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　待机功耗：< 30mW（典型值，在230VAC输入下）
　　集成高压启动电流源：有，无需外部启动电阻
　　控制器拓扑结构：电流模式控制，准谐振反激式
　　保护功能：过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）、开环保护、前沿消隐（LEB）

IR1168具备先进的准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，能够在MOSFET漏源电压处于最低点时触发导通，显著降低开关损耗，提升整体转换效率。这一技术特别适用于高频反激变换器，在全负载范围内实现高效运行，尤其是在中高负载条件下表现出色。控制器内置智能频率折返（Frequency Foldback）机制，随着负载减轻自动降低开关频率，避免音频噪声并进一步减少开关损耗。
　　该芯片集成了高压启动电路，可在上电后直接从高压母线汲取电流为VDD电容充电，省去了传统辅助绕组或外部启动电阻的需求，不仅节省了外围元件数量，还加快了启动速度，提升了系统可靠性。当VDD达到启动阈值后，控制器进入正常工作状态，高压电流源自动关闭以减少静态功耗。
　　IR1168采用自适应死区时间控制算法，能够动态检测变压器去磁完成时刻，并精确设置最佳开通时机，确保在不同输入电压和负载条件下始终工作于真正的谷底开关（Valley Switching），最大限度地发挥准谐振优势。这种自适应能力克服了固定延迟方案在宽输入范围下的性能下降问题。
　　为了优化轻载效率，IR1168引入了智能突发模式（Burst Mode）控制策略。在待机或极轻负载情况下，系统以低频脉冲方式工作，仅在输出电压低于设定阈值时才进行短时间能量传输，其余时间进入休眠状态，大幅降低无功损耗。同时，突发模式经过精心调制，避免产生可闻噪声，提升用户体验。
　　在保护机制方面，IR1168提供多重冗余保护。例如，逐周期电流限制结合前沿消隐功能，防止因噪声引起的误触发；过压保护通过监测反馈回路状态实现快速响应；过温保护则利用片内温度传感器实时监控芯片温度，一旦超限即刻关闭输出。所有这些特性共同保障了电源系统的长期稳定运行和安全性。

IR1168广泛应用于各类需要高效、紧凑型AC-DC电源解决方案的场合。典型应用包括笔记本电脑外置电源适配器（如65W、90W等级别），这类产品对效率、体积和待机功耗有严格要求，IR1168凭借其高集成度和优异的轻载效率表现成为理想选择。此外，它也被用于液晶电视、显示器、机顶盒和路由器等消费电子产品中的内置电源模块，帮助制造商满足日益严苛的环保法规要求，如欧盟ErP指令和美国DoE Level VI标准。
　　在工业领域，IR1168适用于工业控制电源、PLC供电单元、LED照明驱动电源以及电信设备中的辅助电源设计。由于其具备良好的瞬态响应能力和稳定的闭环控制性能，即使在电网波动较大的环境下也能保持输出电压稳定。同时，该芯片对外部元件的要求较低，配合简单的外围电路即可构建完整电源系统，有助于缩短产品开发周期和降低BOM成本。
　　IR1168还可用于USB PD快充充电器设计，尤其是多口或多协议兼容的高功率充电器。虽然现代GaN快充更多采用更先进的数字控制器，但在硅基MOSFET平台上，IR1168仍是一个成熟可靠的模拟控制方案选项。其稳定的控制行为和成熟的生态系统使其在中低端快充市场仍有广泛应用空间。

IRS2168
　　IR1167
　　ICE5QSAGX