型号：IR11662STRBBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：iDriver?
　　通道类型：单通道
　　输出电流（峰值拉电流）：4A
　　输出电流（峰值灌电流）：6A
　　供电电压（VCC）：10V 至 20V
　　逻辑输入电压兼容性：3.3V / 5V
　　传播延迟：典型值 85ns
　　上升时间（典型值）：15ns
　　下降时间（典型值）：10ns
　　去饱和检测阈值：典型值 7V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　隔离电压（VIORM）：1.7kV RMS
　　封装类型：SOIC-16 Wide Body
　　爬电距离：≥8mm
　　绝缘类型：加强绝缘

IR11662STRBBF具备多项先进特性，使其在高压功率驱动领域表现出色。首先，其集成的高级电平转换技术允许输入侧与输出侧之间实现高效的信号传输，即使在dv/dt瞬态变化剧烈的环境下也能保持稳定运行。这种技术避免了传统光耦合器存在的老化、温度漂移和速度限制等问题，提升了系统的长期可靠性。
　　其次，该器件内置去饱和检测功能，可通过外部感应电阻或直接连接到功率器件的集电极/漏极来实时监测IGBT或MOSFET是否发生短路或过载。一旦检测到去饱和事件，芯片将立即启动软关断程序，逐步降低栅极电压以减少应力冲击，随后进入闭锁状态，防止故障扩大。此功能显著提高了系统在极端工况下的安全性。
　　此外，IR11662STRBBF配备了有源米勒钳位电路，可在高dv/dt噪声环境下有效抑制因米勒电容耦合引起的误开通现象。当输入关断或故障状态下，输出端被主动下拉至低电平，确保功率器件处于可靠关闭状态，从而避免潜在的桥臂直通风险。
　　该芯片还具备精确的欠压锁定（UVLO）机制，分别针对高端和低端电源进行监控，确保只有在供电电压达到安全阈值后才允许输出导通。同时，其输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，便于与各种微控制器和数字信号处理器接口连接。
　　值得一提的是，IR11662STRBBF采用无磁芯变压器隔离技术，在实现高隔离性能的同时，提供了优于传统光耦的共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值超过100kV/μs，适用于高频开关和高噪声工业环境。整体设计兼顾了高性能、高集成度与高安全性，是现代电力电子系统中理想的栅极驱动解决方案。

IR11662STRBBF广泛应用于各类需要高可靠性隔离驱动的电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于伺服驱动器、变频器和PLC控制模块中，驱动高边和低边IGBT或MOSFET，实现对交流电机的高效调速与精准控制。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和风力发电变流器，该芯片能够支持高频率开关操作，提升能量转换效率，并通过内置保护机制增强系统在电网波动或负载突变时的稳定性。
　　在不间断电源（UPS）系统中，IR11662STRBBF用于半桥、全桥或LLC谐振拓扑结构中的功率开关驱动，确保在市电中断时能够快速响应并维持输出电压稳定。其高CMTI能力和强健的故障保护功能特别适合此类对连续运行要求极高的场合。
　　此外，该器件也适用于电动车辆充电基础设施，包括车载充电机（OBC）和直流充电桩中的DC-DC变换器与PFC电路，帮助实现紧凑化设计和高功率密度目标。在电焊机、感应加热和医疗电源等高功率密度、高安全等级设备中，IR11662STRBBF凭借其加强绝缘特性和优异的热稳定性，成为关键的驱动元件。
　　由于其宽温度范围和高抗干扰能力，该芯片同样适合部署于户外或高温工业环境中，长期稳定运行而无需额外散热措施。总体而言，IR11662STRBBF适用于所有需要高性能、高隔离度和高集成度栅极驱动的现代电力电子应用。

IRS21864STRPBF
　　IRS21844STRPBF
　　UCC21520DWE