类型：高边MOSFET驱动器
　　封装形式：8引脚DIP或SOIC
　　工作电压范围：10V至20V
　　最大输出电流：200mA（典型值）
　　最大耐压：600V
　　输出驱动能力：图腾柱输出结构
　　传播延迟时间：约100ns
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

IR1103具备多项关键特性，使其在高边功率开关应用中表现优异。首先，它集成了高压电平转换电路，能够将低压控制信号转换为适合高边MOSFET的驱动信号。这使得IR1103可以与各种控制器或微处理器无缝配合使用。
　　其次，IR1103采用了HVIC技术，使其能够在高电压环境下稳定运行。该芯片内部集成了自举二极管，简化了外围电路设计，并降低了PCB布局的复杂度。同时，该驱动器具有较低的静态电流和较高的抗噪能力，有助于提升系统的整体效率和稳定性。
　　此外，IR1103具有较宽的工作电压范围（10V至20V），可适应不同应用需求。其输出驱动能力为200mA，能够快速驱动大功率MOSFET，从而减少开关损耗，提高系统效率。该芯片的传播延迟时间约为100ns，保证了在高频开关应用中的响应速度。
　　IR1103还具备良好的热稳定性和过温保护功能，确保在恶劣工作条件下仍能保持可靠运行。其封装形式包括8引脚DIP和SOIC，便于安装和集成到各种电源系统中。

IR1103广泛应用于各种需要高边MOSFET驱动的电源系统中。典型应用包括半桥和全桥DC-DC转换器、电机控制驱动器、同步整流电路、功率因数校正（PFC）模块以及各类工业电源和电池管理系统。由于其高压能力和高可靠性，IR1103也常用于电动汽车、太阳能逆变器、UPS不间断电源等高性能电源系统中。

IR2110、IR2113、LM5101、NCP2182