型号：30BQ015TRPBF
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：肖特基二极管
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：15V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：30A
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：120A
　　最大正向压降（VF）@ 30A：0.52V @ TC=110°C
　　最大反向漏电流（IR）@ 15V：500μA @ TJ=125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-277（D-Pak）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　是否符合RoHS：是
　　是否无卤素：是

30BQ015TRPBF的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，避免了传统PN结中的少数载流子储存效应，从而实现了极快的开关速度和极低的开关损耗。由于没有反向恢复时间（trr ≈ 0），该器件在高频开关应用中表现出色，能够显著降低电磁干扰（EMI）并提高系统整体效率。其最大重复反向电压为15V，适用于低电压大电流输出的电源拓扑，如用于CPU供电的同步整流DC-DC变换器或电池充电管理电路中。
　　该器件的最大平均正向整流电流可达30A，表明其具备较强的持续导通能力，适合承载高负载电流的应用场景。这一高电流能力得益于其优化的芯片布局和良好的热传导设计。TO-277封装不仅体积小巧，还通过大面积铜焊盘增强了散热性能，使得即使在高功率密度下也能有效控制结温上升，确保长期工作的稳定性与可靠性。
　　正向压降方面，在30A电流和高温条件下（TC=110°C），典型值仅为0.52V，这意味着导通损耗非常低，进一步提升了能效表现。低VF对于减少系统发热、延长设备寿命至关重要，尤其是在便携式设备或密闭环境中尤为重要。同时，较低的功耗也有助于简化热管理设计，可能无需额外散热片即可满足热要求。
　　反向漏电流在高温环境下被严格控制，最大值为500μA（@15V, TJ=125°C），虽然相较于高压二极管略高，但在15V低压应用中仍属可接受范围。用户在设计时需注意高温下的漏电流累积问题，特别是在多并联或高环境温度场合应进行适当降额使用。
　　该器件支持双共阴极配置，意味着两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极，非常适合用于全波整流或双通道同步整流拓扑中，简化电路布线并节省PCB空间。此外，其表面贴装封装便于自动化贴片生产，提升制造效率和一致性。整体而言，30BQ015TRPBF是一款面向高效、紧凑电源系统的高性能肖特基二极管解决方案。

30BQ015TRPBF广泛应用于多种中低电压、大电流的电源转换系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是次级侧整流部分，用于将高频交流电压转换为稳定的直流输出。在DC-DC降压或升压转换器中，它常作为续流二极管或同步整流替代元件，以降低导通损耗，提升转换效率。由于其15V的反向耐压特性，特别适用于输出电压为3.3V、5V或12V的电源轨，常见于服务器主板、通信设备、工业控制板等对效率要求较高的系统中。
　　在电池充电与管理系统（BMS）中，该器件可用于防止电流倒灌，实现充放电路径的单向控制。其快速响应能力和低正向压降有助于减少能量损失，提高充电效率。此外，在逆变器和UPS不间断电源系统中，30BQ015TRPBF可作为保护二极管使用，吸收感性负载产生的反向电动势，保护主开关器件免受损坏。
　　在电机驱动电路中，该器件常被用作续流二极管，为电感性负载提供电流回路，避免电压尖峰造成破坏。其高浪涌电流承受能力（IFSM达120A）使其能够应对启动或故障瞬间的大电流冲击，增强系统鲁棒性。
　　由于采用表面贴装封装，该器件适用于自动化的SMT生产线，广泛用于消费类电子产品如笔记本电脑适配器、LED照明电源、路由器电源模块等。其符合RoHS和无卤素标准，满足现代电子产品环保法规的要求，适用于出口型或绿色认证产品设计。总体来说，30BQ015TRPBF是一款适用于高效、紧凑、环保电源设计的理想选择。

MBR30H150CTF
　　SB30150SP