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CM150DU-24H 发布时间 时间:2025/9/29 19:46:12 查看 阅读:2

CM150DU-24H是一款由日本富士电机(Fuji Electric)生产的高功率IGBT模块,广泛应用于工业驱动、电力变换和大功率电源系统中。该模块属于富士电机第七代IGBT技术产品线,具备低损耗、高开关频率和高可靠性等优点。CM150DU-24H采用双单元(Dual Module)结构设计,内部集成了两个独立的IGBT单元,每个单元包含一个IGBT芯片和一个反并联快速恢复二极管,适用于半桥或全桥拓扑结构。该模块额定电流为150A,额定电压为1200V,适合在高电压、大电流环境下稳定运行。其封装形式为标准2代平板式(Press-Pack兼容设计),具有良好的热传导性能和机械稳定性,便于安装于散热器上,并适用于强迫风冷或水冷系统。CM150DU-24H还内置NTC温度传感器,可用于实时监测模块内部温度,提升系统的安全性和控制精度。

参数

型号:CM150DU-24H
  制造商:富士电机(Fuji Electric)
  器件类型:IGBT模块
  结构类型:双单元(Dual Unit)
  额定集电极电流(Ic):150A
  集射极击穿电压(Vces):1200V
  栅极阈值电压(Vge(th)):典型6.0V,最大7.0V
  饱和压降(Vce(sat) @ Ic=150A, Vge=15V):约1.95V
  二极管正向压降(Vf):约1.75V
  最大工作结温(Tj):150°C
  开关频率:可达20kHz以上(依应用条件而定)
  内置NTC热敏电阻:有
  绝缘耐压:≥2500VAC(1分钟)
  封装形式:大型平板式(Module Type)
  安装方式:螺栓固定,压接兼容

特性

CM150DU-24H模块采用了富士电机先进的第七代IGBT芯片技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,提升了整体能效。其优化的载流子注入结构与精细沟槽栅工艺相结合,使IGBT在高电流密度下仍能保持较低的Vce(sat),从而减少发热,提高系统效率。此外,该模块的开关特性经过精心设计,在关断过程中具有平缓的电压上升率(dV/dt),有助于降低电磁干扰(EMI),同时减少对驱动电路的压力。模块内部集成的快速恢复二极管具有软恢复特性,能够有效抑制反向恢复电流尖峰,避免产生过高的电压振荡,提升系统运行的稳定性与可靠性。
  该模块的双单元结构使其非常适用于构建半桥、全桥或三相逆变器电路,尤其适合用于大功率变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、感应加热设备以及电机驱动系统等场合。其平板式封装设计不仅增强了散热能力,还提高了模块在高温、高湿、高振动环境下的长期运行可靠性。此外,CM150DU-24H具备优异的抗短路能力,能够在规定时间内承受短路电流而不损坏,配合外部保护电路可实现快速故障响应。模块引出端子采用高强度铜材并进行镀银处理,确保低接触电阻和优良的导电性能,同时支持大电流传输。整体结构密封性好,防尘防潮能力强,适合在恶劣工业环境中使用。

应用

CM150DU-24H广泛应用于各类大功率电力电子装置中。在工业自动化领域,常用于中高压变频驱动系统,驱动大功率交流电机,实现节能调速。在新能源领域,该模块被用于光伏并网逆变器和储能系统中的DC-AC转换环节,凭借其高效率和高可靠性,有助于提升发电系统的整体效能。在电力系统方面,它可用于有源滤波器(APF)、静态无功补偿装置(SVC)和统一电能质量调节器(UPQC)等电能质量治理设备中,实现对电网谐波和无功功率的精确补偿。此外,该模块也适用于高频感应加热电源、中频炉、焊接设备以及大功率直流电源等工业加热与电源系统。由于其具备良好的动态响应能力和温度稳定性,CM150DU-24H在需要频繁启停或负载波动较大的应用场景中表现尤为出色。其内置的NTC温度传感器可接入控制系统,实现温度闭环保护,防止过热损坏,进一步提升设备的安全运行水平。

替代型号

2MBI150U4B-120
  SEMiX151GB126HDs
  FF150R12KS4
  SKM150GB12T4

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CM150DU-24H参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.7V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)22nF @ 10V
  • 功率 - 最大890W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块