IPZA60R180P7 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能功率MOSFET晶体管,属于OptiMOS?系列。该器件设计用于高效率、高频开关应用,具有低导通电阻和优化的栅极电荷特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及汽车电子系统等多种场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大漏极电流(ID):180A
导通电阻(RDS(on)):6.0mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):52nC(典型值)
封装类型:PG-HSOF-8
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
IPZA60R180P7 具备多项优良特性,确保其在高性能功率应用中的稳定性和效率。首先,其低导通电阻(RDS(on))仅为6.0mΩ,能够显著降低导通损耗,提高能效。其次,优化的栅极电荷(Qg)设计使开关损耗降低,从而支持高频操作,提高系统响应速度。
此外,该器件采用先进的封装技术(PG-HSOF-8),具备良好的热管理和机械稳定性,能够在高温环境下可靠运行。工作温度范围为-55°C至+175°C,适用于严苛的工业和汽车电子环境。
该MOSFET还具备出色的短路耐受能力,有助于在异常工作条件下保护电路安全。此外,其封装设计兼容主流的PCB组装工艺,便于批量生产和维护。
IPZA60R180P7 广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高效能和高可靠性的场景下。典型应用包括同步整流DC-DC降压转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、服务器电源、以及车载电子系统等。
在DC-DC转换器中,IPZA60R180P7 可作为主开关或同步整流器使用,提供高效率的能量转换。在电机驱动器中,其高电流承载能力和低导通损耗有助于提高驱动效率和降低温升。
由于其优良的热性能和宽工作温度范围,IPZA60R180P7 也常用于汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、车身控制模块(BCM)和车载充电器(OBC)等场景,满足汽车级可靠性和安全性要求。
BSC060N06LS G, IPW60R180P7S, SQJA60E1-180P7, IPU60R180P7S