时间：2025/5/8 11:54:54
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IPZ40N04S5L-4R8 是一款基于 Trench MOS 技术的 N 沟道功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能。它适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和其他功率转换场景。
该型号中的 IPZ 系列是英飞凌 (Infineon) 推出的高性能功率 MOSFET 家族的一部分，具备卓越的效率和可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：23A
导通电阻：4.8mΩ
栅极电荷：19nC
开关频率：高达 1MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高效的开关性能，适合高频应用。
3. 小型化封装，节省 PCB 空间。
4. 优秀的热性能，支持更高的功率密度。
5. 内置反向二极管，提供额外的保护功能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
7. 出色的抗雪崩能力，能够在异常条件下维持稳定运行。
8. 可靠性高，适合工业和汽车级应用环境。
IPZ40N04S5L-4R8 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各类电机驱动电路，例如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 负载开关和保护电路。
4. 光伏逆变器和储能系统的功率管理。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动车和混合动力车中的辅助功率单元。
7. 高效音频放大器和其他高频电子设备。
IPP040N04S5L-4R8, IPP040N04S5P-4R8
