时间：2025/5/31 2:41:29
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CBR08C129A1GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于高频和高功率应用场景。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻，能够显著提高电源转换效率和降低系统损耗。
其封装形式为表面贴装，便于自动化生产和高效散热管理。由于其材料特性，CBR08C129A1GAC 在高频工作条件下表现出色，是新一代高效能电源设计的理想选择。
型号：CBR08C129A1GAC
类型：氮化镓 (GaN) HEMT
最大漏源电压：650V
最大连续漏电流：8A
导通电阻：129mΩ
栅极-源极电压（最大）：±8V
功耗：10W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：LFPAK88
CBR08C129A1GAC 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (129mΩ)，有助于减少传导损耗并提升效率。
2. 快速开关性能，支持高达几兆赫兹的工作频率。
3. 内置 ESD 保护电路，增强器件的抗静电能力。
4. 高温工作能力，能够在 -55°C 至 +175°C 范围内稳定运行。
5. 小型化的表面贴装封装，简化了 PCB 布局设计并提升了散热效果。
6. 优异的热稳定性，保证在高负载条件下的长期可靠性。
7. 支持硬开关和软开关应用，适应多种拓扑结构的需求。
CBR08C129A1GAC 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 服务器和通信设备中的高效电源模块。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
5. 消费类电子产品中的快速充电适配器。
6. 工业控制和电机驱动中的高频逆变器。
7. 不间断电源 (UPS) 系统中的核心功率元件。
CBR08C158A1GAC, CBR08C189A1GAC
