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CBR08C129A1GAC 发布时间 时间:2025/5/31 2:41:29 查看 阅读:10

CBR08C129A1GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于高频和高功率应用场景。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻,能够显著提高电源转换效率和降低系统损耗。
  其封装形式为表面贴装,便于自动化生产和高效散热管理。由于其材料特性,CBR08C129A1GAC 在高频工作条件下表现出色,是新一代高效能电源设计的理想选择。

参数

型号:CBR08C129A1GAC
  类型:氮化镓 (GaN) HEMT
  最大漏源电压:650V
  最大连续漏电流:8A
  导通电阻:129mΩ
  栅极-源极电压(最大):±8V
  功耗:10W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装:LFPAK88

特性

CBR08C129A1GAC 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (129mΩ),有助于减少传导损耗并提升效率。
  2. 快速开关性能,支持高达几兆赫兹的工作频率。
  3. 内置 ESD 保护电路,增强器件的抗静电能力。
  4. 高温工作能力,能够在 -55°C 至 +175°C 范围内稳定运行。
  5. 小型化的表面贴装封装,简化了 PCB 布局设计并提升了散热效果。
  6. 优异的热稳定性,保证在高负载条件下的长期可靠性。
  7. 支持硬开关和软开关应用,适应多种拓扑结构的需求。

应用

CBR08C129A1GAC 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 服务器和通信设备中的高效电源模块。
  3. 太阳能逆变器及储能系统。
  4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
  5. 消费类电子产品中的快速充电适配器。
  6. 工业控制和电机驱动中的高频逆变器。
  7. 不间断电源 (UPS) 系统中的核心功率元件。

替代型号

CBR08C158A1GAC, CBR08C189A1GAC

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CBR08C129A1GAC参数

  • 数据列表CBR08C129A1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容1.2pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.88mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-