时间：2025/4/30 9:08:15
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IPZ40N04S5-5R4 是一款基于沟槽技术的 N 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于各种高效能应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其封装形式为 TO-252(DPAK)，能够提供良好的散热性能和紧凑的安装尺寸。
这款功率 MOSFET 采用了先进的制造工艺，确保了其在高频开关条件下的优异表现，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于降低开关损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：5.4mΩ
栅极电荷（典型值）：9nC
总电容（典型值）：680pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
1. 低导通电阻，可有效减少传导损耗。
2. 高开关速度，适合高频应用。
3. 极低的栅极电荷和输出电容，降低开关能量损耗。
4. 小型化封装设计，易于布局和安装。
5. 宽温度范围，适用于严苛环境下的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类负载开关应用，如消费电子设备。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
4. LED 驱动器中的同步整流或调光控制。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
IPP40N04S5-5R4
IRFZ44N
FDP5500
IXFH40N04T
AOT40N04
