时间：2025/7/29 18:48:18
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IPW65R190CFD7A 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET，属于CoolMOS?系列。该系列的器件采用先进的超结（Super Junction）技术，提供出色的导通和开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源应用。IPW65R190CFD7A 的额定电压为650V，导通电阻约为190mΩ，适用于多种电源转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：650V
最大连续漏极电流（ID）：14A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：190mΩ
最大功率耗散（PD）：80W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IPW65R190CFD7A 是一款具有高性能的功率MOSFET，采用了英飞凌领先的CoolMOS?技术，使其在高压应用中表现出色。其核心优势包括高效率和低导通损耗，这得益于其较低的导通电阻（RDS(on)）。此外，该器件的开关损耗也显著降低，使其适用于高频开关应用，从而提高整体系统效率并减少散热需求。
该MOSFET具备较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于需要长时间运行的工业和消费类电子产品。其TO-247封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性，便于安装和散热设计。
另一个重要特性是该器件的雪崩能量耐受能力较强，能够在极端工作条件下提供额外的安全裕度，避免因电压尖峰或过载而损坏。这对于需要高可靠性的电源系统尤为重要。此外，IPW65R190CFD7A 还具有良好的短路耐受能力，确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。
IPW65R190CFD7A 广泛应用于各种高效率电源系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、服务器电源、电信电源、光伏逆变器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的性能使其成为高性能电源设计的理想选择，尤其适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的应用场景。
IPW65R190CFD7AG INFINEON；IPW65R190CFDA INFINEON
