IPW60R041P6是一款由Infineon(英飞凌)生产的功率MOSFET芯片,属于OptiMOS系列。该器件采用先进的制程工艺设计,具备低导通电阻和高效率的特性,适用于多种开关电源、电机驱动和其他功率转换应用。其封装形式为PQFN5*6,具有良好的散热性能和紧凑的设计,适合空间受限的应用场景。
该器件的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),这使得它在高频开关应用中表现出较低的传导损耗,同时优化了整体系统的效率。
型号:IPW60R041P6
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻,典型值):4.1mΩ
Id(连续漏极电流):89A
Vgs(栅源电压):±20V
封装:PQFN5*6
工作温度范围:-55℃ to +175℃
Qg(总栅极电荷):37nC
EAS(雪崩能量):2.3mJ
IPW60R041P6具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(4.1mΩ),能够在高电流应用场景下降低功耗。
2. 高效的热管理设计,得益于PQFN5*6封装的卓越散热能力。
3. 优异的开关性能,包括低栅极电荷和快速开关速度,使其非常适合高频应用。
4. 增强型雪崩能力和短路耐受能力,提高了系统可靠性。
5. 工作温度范围宽广,能够适应各种恶劣环境下的使用需求。
这些特点使IPW60R041P6成为高效率功率转换应用的理想选择,例如服务器电源、通信电源、电动工具以及家用电器等。
IPW60R041P6广泛应用于以下几个领域:
1. 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器、LED驱动器等。
2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。
3. DC-DC转换器:特别是在需要高效能和高电流输出的场合。
4. 电池管理系统(BMS):用于保护和监控锂离子电池组。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的功率转换模块。
由于其出色的性能和可靠性,IPW60R041P6在工业自动化、消费电子和汽车电子等领域都得到了广泛应用。
IPW60R043CEB, IPW60R053PFD, IRF6640