时间：2025/6/10 16:39:43
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IPW60R017C7 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的功率 MOSFET，由 Infineon Technologies 生产。该器件专为高效率和高性能应用而设计，适用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。其采用 TO-247 封装形式，能够提供低导通电阻和快速开关特性，从而减少能量损耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 的额定电压为 650V，具备出色的耐压性能，能够在高频开关条件下保持稳定运行。同时，它还具有较低的栅极电荷和输出电荷，有助于进一步提升效率并简化驱动电路设计。
额定电压：650V
最大漏源电流：9A
导通电阻：17mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：185pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPW60R017C7 具备以下显著特性：
1. 高效的碳化硅技术，提供卓越的热性能和电气性能。
2. 超低导通电阻 (17mΩ)，有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 出色的热稳定性，在高温条件下仍能保持高效运行。
5. 强大的抗雪崩能力，确保在异常情况下安全工作。
6. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
这些特性使得 IPW60R017C7 成为许多高要求功率转换应用的理想选择。
IPW60R017C7 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)：
包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器，用于服务器、通信设备等。
2. 太阳能逆变器：
在光伏系统中实现高效的直流到交流转换。
3. 电机驱动：
提供精确的电流控制以驱动各类电机。
4. 电动车充电设备：
支持快速充电站的设计与实现。
5. 工业电源：
应用于各种工业设备中的高效电源解决方案。
由于其出色的性能表现，IPW60R017C7 成为了众多高效率电力电子系统的首选元件。
IPW60R028C6, IPP60R099P7
