时间：2025/5/12 12:15:51
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LE24LA322CSTL2-TFM-E 是一款由罗姆（ROHM）生产的低导通电阻N沟道MOSFET。该器件采用超小型封装，具有出色的开关特性和较低的导通损耗，适合用于高效率、紧凑型的电源管理和信号切换应用。其设计旨在优化便携式电子设备和消费类电子产品中的空间利用率，同时保持高性能。
型号：LE24LA322CSTL2-TFM-E
品牌：ROHM
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：18mΩ（在 Vgs=10V 时）
Id（连续漏极电流）：7A
Vgs（栅源电压）：±20V
封装：USP-6T
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
LE24LA322CSTL2-TFM-E 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，确保更低的功率损耗和更高的效率。
2. 小型 USP-6T 封装，节省PCB空间，非常适合便携式设备。
3. 高额定电流能力（最大7A），适用于多种负载条件。
4. 宽工作温度范围，适应恶劣环境下的稳定运行。
5. 快速开关速度，减少开关损耗并提高动态性能。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
7. 可靠性高，抗静电能力强（HBM ≥ 2kV）。
该MOSFET适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的高效开关元件。
3. 电池管理系统的保护电路。
4. 消费类电子产品中的负载开关。
5. 电机驱动和逆变器控制。
6. 通信设备和工业自动化系统中的信号切换。
7. 手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。
RQH2SL32TPG-E
DMN2990UFCT-13
STL204NE
