时间：2025/7/22 19:19:39
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IPW50R140CP 是由英飞凌（Infineon）公司生产的一款功率MOSFET晶体管，属于OptiMOS?系列。这款MOSFET专为高效率、高功率密度的电源转换应用设计，适用于如服务器电源、电信设备、工业电源以及DC-DC转换器等场景。IPW50R140CP 采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和开关损耗，从而提高了整体系统的效率和可靠性。
类型：功率MOSFET
技术：OptiMOS?
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：0.14Ω
栅极电荷（Qg）：60nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
安装类型：通孔安装
最大耗散功率（Ptot）：125W
IPW50R140CP MOSFET具有多项先进特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，该器件采用了英飞凌的OptiMOS?技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗。其0.14Ω的Rds(on)值使得在导通状态下功率损耗极低，从而减少了发热并提高了系统效率。
其次，IPW50R140CP的最大漏源电压为500V，漏极电流可达40A，具备较高的电压和电流承受能力，适合用于中高功率的电源转换系统。
此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）为60nC，较低的Qg意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，从而进一步提升了转换效率。
IPW50R140CP还具备良好的热稳定性和耐久性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于各种严苛环境下的应用。
最后，该器件采用标准的TO-220封装，易于安装和散热管理，非常适合用于需要高可靠性和稳定性的工业和通信设备中。
IPW50R140CP广泛应用于多种电源转换和功率管理场合。常见的应用包括服务器电源供应器、电信基础设施设备、工业自动化和控制系统、DC-DC转换器以及开关电源（SMPS）。由于其高效率和低损耗特性，该MOSFET特别适合用于需要高功率密度和高可靠性的系统设计。此外，它也适用于电机驱动、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及新能源设备如光伏逆变器等场景。
IPW50R140CFD, IPW50R190CE, IPA50R140CP
