类型：功率MOSFET
　　最大漏极电流：50A
　　最大漏极-源极电压：200V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ
　　栅极电荷：10nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263
　　功率耗散：120W

IPUD50221R0M-10功率MOSFET具备多项显著特性，使其在高性能电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为22mΩ，这大大降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。其次，该芯片具有较高的最大漏极电流能力，可达50A，使其能够处理大电流负载，适用于高功率输出的电源设计。
　　此外，该MOSFET的漏极-源极电压耐受能力达到200V，提供了良好的电压稳定性，能够在高电压环境下可靠运行。同时，其较低的栅极电荷（10nC）有助于提高开关速度，减少开关损耗，从而进一步提升电源转换效率。
　　IPUD50221R0M-10采用TO-263封装形式，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度，延长器件的使用寿命。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）也使其适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、汽车电子等。
　　该芯片还具备较高的可靠性和耐用性，能够承受瞬态过载和热应力，确保在复杂工作条件下的稳定运行。因此，IPUD50221R0M-10不仅适用于标准的电源转换应用，也能胜任对性能和可靠性要求较高的高端应用。

IPUD50221R0M-10常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及电池管理系统（BMS）等应用。其高效率和高稳定性使其成为工业自动化设备、通信电源、新能源系统（如太阳能逆变器）以及电动汽车充电模块的理想选择。

IPW60R028C6, STD50N20L-1, FDP50N20