时间：2025/5/27 19:05:39
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RTR030N05FRA是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于各种高效能开关应用场合，能够显著降低系统功耗并提升效率。其设计符合严格的工业标准，适合用于要求高可靠性和稳定性的场景。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：26nC
总电容：850pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
RTR030N05FRA具备超低的导通电阻，有助于减少导通损耗，特别适用于高电流应用场景。同时，它具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗。
该器件的封装形式优化了散热性能，可以满足高功率密度设计的需求。此外，其较高的工作温度范围使得它在极端环境条件下依然保持可靠的性能表现。
内置的ESD保护电路增强了芯片的抗静电能力，提高了产品在实际使用中的稳定性。
RTR030N05FRA广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动车辆等领域。由于其低损耗特性和高可靠性，这款MOSFET非常适合需要高效能量转换的电力电子设备。
RTR030N05FTA, IRF540N, FDP150N10AE
